[发明专利]半导体装置的制造方法及半导体晶圆有效
| 申请号： | 201810159278.1 | 申请日： | 2018-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN109509703B | 公开（公告）日： | 2023-07-25 |
| 发明（设计）人： | 渡边慎也;平圭介 | 申请（专利权）人： | 铠侠股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/033 | 分类号： | H01L21/033 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 杨林勳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
实施方式提供一种能够使用红外光使来自对准标记的信号强度提高而使得容易进行位置对准的半导体装置的制造方法及半导体晶圆。实施方式的半导体装置的制造方法是在半导体衬底的第1面的切断预定线形成对准标记。在半导体衬底的第1面上方形成积层构造。去除位于对准标记上方的积层构造。在光刻步骤中，使红外光从半导体衬底的位于与第1面为相反侧的第2面入射，使用来自对准标记的反射光，基于对准标记而进行抗蚀剂图案的位置对准。进而，按照抗蚀剂图案加工半导体衬底。
[相关申请]
本申请享有以日本专利申请2017-178231号(申请日：2017年9月15日)为基础申请的优先权。本申请是通过参照该基础申请而包含基础申请的全部内容。
技术领域
本发明的实施方式涉及一种半导体装置的制造方法及半导体晶圆。
背景技术
就高功能化或高集成化等观点来说，半导体存储器等的半导体芯片存在积层的情况。为了将积层的多个半导体芯片间的元件电连接，可使用被称为TSV(Through-SiliconVia，硅穿孔)的贯通电极。TSV贯通半导体衬底而与另一半导体芯片的元件电连接。
TSV于在半导体衬底的正面上形成半导体元件之后，从半导体衬底的背面形成。此时，在光刻步骤中，必须从半导体衬底的背面进行位置对准。为了从半导体衬底的背面经由半导体衬底而识别对准标记，可使用红外光(IR)。
发明内容
实施方式提供一种能够使用红外光使来自对准标记的信号强度提高而使得容易进行位置对准的半导体装置的制造方法及半导体晶圆。
实施方式的半导体装置的制造方法是在半导体衬底的第1面的切断预定线形成对准标记。在半导体衬底的第1面的上方形成积层构造。去除位于对准标记上方的积层构造。在光刻步骤中，使红外光从半导体衬底的位于与第1面为相反侧的第2面入射，使用来自对准标记的反射光，基于对准标记进行抗蚀剂图案的位置对准。进而，按照抗蚀剂图案对半导体衬底进行加工。
附图说明
图1～图11是表示第1实施方式的半导体装置的制造方法的一例的剖视图。
图12是表示第1实施方式的半导体晶圆的构成例的剖视图。
图13是表示对准标记的线宽与红外光的反射光的对比度的关系的图。
图14是表示第1实施方式的变化例1的半导体装置的制造方法的一例的剖视图。
图15是表示第1实施方式的变化例1的半导体晶圆的一例的剖视图。
图16是表示第1实施方式的变化例2的半导体装置的制造方法的一例的剖视图。
图17是表示第1实施方式的变化例2的半导体晶圆的一例的剖视图。
图18及图19是表示第2实施方式的半导体装置的制造方法的一例的剖视图。
图20及图21是表示第3实施方式的半导体装置的制造方法的一例的剖视图。
具体实施方式
以下，参照附图，对本发明的实施方式进行说明。本实施方式并不限定本发明。在以下的实施方式中，半导体衬底的上下方向表示在将设置半导体元件的正面或其相反的背面设为上的情况下的相对方向，有时与按照重力加速度的上下方向不同。附图是模式性或概念性图，各部分的比率等未必与实物相同。在说明书及附图中，对与关于已出现的附图在上文中已叙述过的要素相同的要素标注相同的符号，并适当省略详细的说明。
(第1实施方式)
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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