[发明专利]薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板与显示装置在审
| 申请号： | 201810141537.8 | 申请日： | 2018-02-11 |
| 公开（公告）号： | CN108321186A | 公开（公告）日： | 2018-07-24 |
| 发明（设计）人： | 顾可可;李哲;栗鹏;辛兰;李晓吉;范昊翔;朱维;刘文亮 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;重庆京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市立方律师事务所 11330 | 代理人： | 刘延喜 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板与显示装置。所述薄膜晶体管的制作方法，包括：在有源层上的预设沟道位置形成抗蚀剂层；在所述有源层上形成被所述抗蚀剂层隔离的源极和漏极；去除所述抗蚀剂层，以在所述预设沟道位置形成沟道区。本发明提供的方案通过设置预设宽度的抗蚀剂层来控制沟道宽度，实现窄沟道的目的，同时解决了沟道过窄在刻蚀过程中容易出现的源漏极短路问题，提高显示器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 抗蚀剂层 薄膜晶体管 预设 沟道位置 显示装置 阵列基板 沟道 源层 制作 短路问题 刻蚀过程 显示器件 沟道区 源漏极 窄沟道 漏极 源极 去除 隔离 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，包括：在有源层上的预设沟道位置形成抗蚀剂层；在所述有源层上形成被所述抗蚀剂层隔离的源极和漏极；去除所述抗蚀剂层，以在所述预设沟道位置形成沟道区。
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