[发明专利]薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板与显示装置

说明书

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板与显示装置。所述薄膜晶体管的制作方法，包括：在有源层上的预设沟道位置形成抗蚀剂层；在所述有源层上形成被所述抗蚀剂层隔离的源极和漏极；去除所述抗蚀剂层，以在所述预设沟道位置形成沟道区。本发明提供的方案通过设置预设宽度的抗蚀剂层来控制沟道宽度，实现窄沟道的目的，同时解决了沟道过窄在刻蚀过程中容易出现的源漏极短路问题，提高显示器件的性能。

【技术领域】

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板与显示装置。

【背景技术】

在TFT LCD(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，薄膜场效应晶体管液晶显示器)行业中，主要是通过像素电极和公共电极之间产生的电场，来控制液晶分子的转动，达到所要显示画面的效果。像素电极的电位能否达到要求值，主要是由TFT的开启电流I_on决定的。相同工艺条件下，TFT的沟道厚度与宽度的比值对TFT的性能起很大作用。TFT的厚宽比越大，MOS管的I_d越大，电流负载能力越强，TFT性能越好。提高厚度与宽度的比值可以通过增加厚度或减小沟道宽度来实现，然而增加厚度会增大TFT的尺寸，减小开口率。相对而言，减小沟道宽度既能增大TFT宽长比又能减小TFT的尺寸，同时还能够增大开口率。

但现有工艺直接减小沟道宽度，即减小源极与漏极之间的距离，但刻蚀时容易出现沟道位置金属刻蚀残留导致源漏极短路问题，降低产品的良率。

【发明内容】

本发明的目的在于提供一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板与显示装置。通过控制预设抗蚀剂层的宽度来确定沟道宽度，实现窄沟道的目的，且解决窄沟道在刻蚀过程中容易出现的源漏极短路问题，提高显示面板的显示性能。

为实现该目的，本发明首先提供了一种薄膜晶体管的制作方法，包括：

在有源层上的预设沟道位置形成抗蚀剂层；

在所述有源层上形成被所述抗蚀剂层隔离的源极和漏极；

去除所述抗蚀剂层，以在所述预设沟道位置形成沟道区。

优选地，在所述有源层的预设沟道位置形成抗蚀剂层的步骤，包括：

在所述有源层上涂覆抗蚀剂；

对涂覆有抗蚀剂的有源层进行曝光显影，刻蚀掉所述有源层上非预设沟道位置处的抗蚀剂，并在所述有源层上的预设沟道位置保留抗蚀剂而形成抗蚀剂层。

优选地，在所述有源层上形成被所述抗蚀剂层隔离的源极和漏极的步骤，包括：

在所述有源层上形成源漏极层，所述源漏极层覆盖所述抗蚀剂层；

在所述源漏极层上涂覆抗蚀剂，对涂覆有抗蚀剂的源漏极层进行曝光显影、刻蚀，形成被所述抗蚀剂层隔离的源极区和漏极区。

具体地，当所述有源层上涂覆的抗蚀剂为正性抗蚀剂时，所述有源层上保留的所述抗蚀剂层区域为不曝光区域；当所述有源层上涂覆的抗蚀剂为负性抗蚀剂时，所述有源层上保留的所述抗蚀剂层区域为全曝光区域。

优选地，对涂覆有抗蚀剂的有源层进行曝光时，预设的所述沟道区边界至预设的所述有源层边界之间的区域为半曝光区域。

具体地，当所述源漏极层上涂覆的抗蚀剂为正性抗蚀剂时，所述源极区和漏极区为不曝光区域；当所述源漏极层上涂覆的抗蚀剂为负性抗蚀剂时，所述源极区和漏极区为全曝光区域。

优选地，所述对涂覆有抗蚀剂的源漏极层进行曝光时，所述有源层上保留的所述抗蚀剂层区域为半曝光区域。

相应地，本发明还提供了一种薄膜晶体管，所述薄膜晶体管由上述任一技术方案所述的薄膜晶体管的制作方法制作而成。