[发明专利]薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板与显示装置在审
| 申请号： | 201810141537.8 | 申请日： | 2018-02-11 |
| 公开（公告）号： | CN108321186A | 公开（公告）日： | 2018-07-24 |
| 发明（设计）人： | 顾可可;李哲;栗鹏;辛兰;李晓吉;范昊翔;朱维;刘文亮 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;重庆京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市立方律师事务所 11330 | 代理人： | 刘延喜 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 抗蚀剂层 薄膜晶体管 预设 沟道位置 显示装置 阵列基板 沟道 源层 制作 短路问题 刻蚀过程 显示器件 沟道区 源漏极 窄沟道 漏极 源极 去除 隔离 | ||
1.一种薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，包括：
在有源层上的预设沟道位置形成抗蚀剂层；
在所述有源层上形成被所述抗蚀剂层隔离的源极和漏极；
去除所述抗蚀剂层，以在所述预设沟道位置形成沟道区。
2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，在所述有源层的预设沟道位置形成抗蚀剂层的步骤，包括：
在所述有源层上涂覆抗蚀剂；
对涂覆有抗蚀剂的有源层进行曝光显影，刻蚀掉所述有源层上非预设沟道位置处的抗蚀剂，并在所述有源层上的预设沟道位置保留抗蚀剂而形成所述抗蚀剂层。
3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，在所述有源层上形成被所述抗蚀剂层隔离的源极和漏极的步骤，包括：
在所述有源层上形成源漏极层，所述源漏极层覆盖所述抗蚀剂层；
在所述源漏极层上涂覆抗蚀剂，对涂覆有抗蚀剂的源漏极层进行曝光显影、刻蚀，形成被所述抗蚀剂层隔离的源极区和漏极区。
4.根据权利要求2所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，当所述有源层上涂覆的抗蚀剂为正性抗蚀剂时，所述有源层上保留的所述抗蚀剂层区域为不曝光区域；当所述有源层上涂覆的抗蚀剂为负性抗蚀剂时，所述有源层上保留的所述抗蚀剂层区域为全曝光区域。
5.根据权利要求2所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，对涂覆有抗蚀剂的有源层进行曝光时，预设的所述沟道区边界至预设的所述有源层边界之间的区域为半曝光区域。
6.根据权利要求3所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，当所述源漏极层上涂覆的抗蚀剂为正性抗蚀剂时，所述源极区和漏极区为不曝光区域；当所述源漏极层上涂覆的抗蚀剂为负性抗蚀剂时，所述源极区和漏极区为全曝光区域。
7.根据权利要求3所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述对涂覆有抗蚀剂的源漏极层进行曝光时，所述有源层上保留的所述抗蚀剂层区域为半曝光区域。
8.一种薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管由权利要求1至7中任一项所述的薄膜晶体管的制作方法制作而成。
9.一种阵列基板，其特征在于，包括如权利要求8所述的薄膜晶体管。
10.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求9所述的阵列基板。
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