[发明专利]一种电子开关串联结构的驱动电路有效

专利信息
申请号: 201810140647.2 申请日: 2018-02-11
公开(公告)号: CN110149110B 公开(公告)日: 2020-08-25
发明(设计)人: 陶顺祝;陶冬毅 申请(专利权)人: 陶顺祝
主分类号: H03K17/567 分类号: H03K17/567
代理公司: 苏州华博知识产权代理有限公司 32232 代理人: 黄丽莉
地址: 063000 河北省*** 国省代码: 河北;13
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开了一种电子开关串联结构的驱动电路,该驱动电路包括:电子开关模块和有源驱动模块,电子开关模块包括:n个串联连接的电子开关,且n个电子开关的DS结依次串联;有源驱动模块包括:n个有源驱动电路。本发明中,从电子开关K2到电子开关Kn依次得到电子开关K1的供电电能和驱动脉冲,电子开关K1到电子开关Kn依次开通和关闭;n个电子开关全部具备有源驱动电路纳秒级别的开关性能,适合n个电子开关串联结构使用时高频栅极功率驱动电路。
搜索关键词: 一种 电子 开关 串联 结构 驱动 电路
【主权项】:
1.一种电子开关串联结构的驱动电路,包括:电子开关模块和有源驱动模块,其特征在于,电子开关模块包括:电子开关K1至电子开关Kn,且n个电子开关的DS结依次串联连接,第n个电子开关Kn的S结与第n‑1个电子开关Kn‑1的D结连接,其中:n≥2,n为整数;有源驱动模块包括:有源驱动电路Dr1至Drn、滤波电容C1至Cn、限流元件R12至R1n、电位转换隔离二极管D12至D1n以及驱动信号隔离二级管D22至D2n,有源驱动电路对与其对应连接的电子开关进行驱动;与电子开关K1连接的有源驱动电路Dr1的输入端与脉冲发生器连接;有源驱动电路Dr1的供电端与Vcc供电端连接;有源驱动电路Dr1的地线端分别与Vcc地线端、滤波电容C1和电子开关K1的S结连接;有源驱动电路Dr1的输出端与电子开关K1的G结连接;电子开关K1的D结和电子开关K2的S结相连接;与电子开关Kn连接的有源驱动电路Drn的输入端通过驱动信号隔离二极管D2n与Vcc供电端连接;有源驱动电路Drn的供电端通过限流元件R1n和电位转换隔离二极管D1n与VCC供电端连接,且有源驱动电路Drn的供电端还与滤波电容Cn连接;有源驱动电路Drn的地线端分别与滤波电容Cn、电子开关Kn的S结和电子开关Kn‑1的D结相连接;有源驱动电路Drn的输出端与电子开关Kn的G结连接;从电子开关K2到电子开关Kn依次得到电子开关K1的供电电能和驱动脉冲,电子开关K1到电子开关Kn依次开通和关闭。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于陶顺祝,未经陶顺祝许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201810140647.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。

同类专利
  • 一种用于IGBT的控制电路-202320353897.0
  • 吴校攀;杨传全 - 广东海明晖电子科技有限公司
  • 2023-02-28 - 2023-10-27 - H03K17/567
  • 一种用于IGBT的控制电路,包括IGBT,还包括稳压二极管和三极管,来自可编程脉冲发生器的信号经过串接的第一电阻和第二电阻后与IGBT的栅极电连接,三极管的基极与第三电阻的一端电连接,第三电阻的另一端与电容串接后接入第一电阻的一端,三极管的集电极与稳压二极管的阳极电连接,稳压二极管的阴极接入第一电阻与第二电阻的另一端之间。还包括第四电阻,所述第四电阻的一端接入第三电阻的另一端与电容之间,第四电阻的另一端与三极管的发射极共同接地。本实用新型到可编程脉冲发生器PPG只需要占用一个脚位,从而极大的节约了可编程脉冲发生器PPG的使用空间,提高了可编程脉冲发生器PPG的利用率。
  • 驱动装置以及驱动方法-202310184691.4
  • 赤羽正志 - 富士电机株式会社
  • 2023-02-20 - 2023-10-17 - H03K17/567
  • 本发明提供一种驱动装置以及驱动方法,所述驱动装置具备:温度检测电路,其输出与开关元件的温度相对应的温度检测信号;电流检测电路,其在开关元件的接通期间中的时刻,对与流过开关元件的电流相对应的电流检测信号进行采样;以及驱动电路,其根据温度检测信号和电流检测信号来调整向开关元件的控制端子供给的驱动电流。驱动电路可以在电流检测信号相同的情况下,根据表示开关元件的温度更低的温度检测信号而使驱动电流变得更小。驱动电路可以在温度检测信号相同的情况下,根据表示主电流更小的电流检测信号而使驱动电流变得更小。
  • 一种级联半导体开关低感模块的拓扑及压装结构-202310864701.9
  • 张翔宇;骆俊宇;齐磊;单天培;王克峰;韩磊;朱欢;刘珂鑫 - 华北电力大学;中电普瑞电力工程有限公司
  • 2023-07-14 - 2023-10-03 - H03K17/567
  • 本发明公开一种级联半导体开关低感模块的拓扑及压装结构,属于电力电子技术领域。将传统级联二极管桥改为直串器件的二极管桥,分布式电容器改为集总式电容器,普通避雷器改为间隙/晶闸管‑避雷器,使得用于断路器的级联半导体开关模块的总电感大大降低,解决了目前级联半导体开关大电流关断过程中由于回路杂散电感大而引起的高关断电压对电力电子器件构成高瞬态功率冲击的问题;IGBT压装结构中相邻IGBT的集电极与发射极共用IGBT共用导电板,提高了半导体开关电压利用率的同时,省去了大部分单元内部和单元与单元之间的电气连接线,减少了回路面积,从而使得级联半导体开关模块的结构更加紧凑,空间占用少,且成本降低。
  • 模块化组合式的IGCT门极驱动单元结构-202321029687.2
  • 周杰;张琦;范佩佩;范超;于庆;纪卫峰;李梦 - 西安派瑞功率半导体变流技术股份有限公司
  • 2023-05-04 - 2023-09-26 - H03K17/567
  • 一种模块化组合式的IGCT门极驱动单元结构,为了解决现有驱动单元空间利用率不高,维修不便且成本大,不利于门极驱动的提升与改进的问题,通过模块化的驱动电路设计,模块化系统包括:控制模块、信号接收及反馈模块、电源模块、门极电流触发及电荷抽取模块、驱动状态检测模块、电容器组模块,控制模块与信号接收及反馈模块、门极电流触发及电荷抽取模块、驱动状态检测模块相连接,进行控制信号发送与接收;电源模块连接控制模块、电容器组模块;本实用新型将IGCT门极驱动电路各部分进行模块化设计,可有效简化安装调试步骤,提升维修替换的便捷性,同时对驱动各模块间互不影响的改造升级提供了便利。
  • 一种绝缘栅双极型晶体管IGBT驱动装置-202210272258.1
  • 寇金华;余华;王亮亮;陶良慧;王翠云;钟铭;刘建章;张杨 - 中车永济电机有限公司
  • 2022-03-18 - 2023-09-22 - H03K17/567
  • 本申请实施例公开了一种绝缘栅双极型晶体管(IGBT)驱动装置,所述IGBT驱动装置包括:控制电路和输出电路;所述控制电路的输出端与所述输出电路的输入端连接;所述输出电路包括开关、变压器和至少两路输出支路;所述变压器与所述至少两路输出支路连接;其中,所述控制电路,用于基于输入电压向所述输出电路周期性输入脉冲信号;所述输出电路,用于根据所述脉冲信号控制所述开关处于导通状态或断开状态;在所述开关处于导通状态的情况下,将输入至所述变压器的电压输出至所述至少两路输出支路。
  • 一种倍频栅极驱动电路及其倍频控制方法-202111031493.1
  • 冷凤羽;赵峰;肖惠文;徐梦阳 - 中国科学院电工研究所
  • 2021-09-03 - 2023-09-22 - H03K17/567
  • 本发明公开了一种倍频栅极驱动电路及其倍频控制方法,涉及功率半导体器件驱动控制技术领域。该倍频栅极驱动电路至少包括一个栅极驱动电路;栅极驱动电路包括两个串接于驱动芯片和负载之间的且带有反并联二极管的MOSFET;其中,第一个MOSFET用于驱动或阻断所述驱动芯片的输出信号,第二个MOSFET用于基于第一个MOSFET的输出信号控制所述负载导通或关断。本发明的倍频栅极驱动电路,采用小封装MOSFET,可以不改变并联系统中驱动芯片和负载的使用种类和数量,极大的减少器件成本和布线面积,并实现系统倍频输出。
  • 栅极驱动装置及电子设备-201911394606.7
  • 朱丹阳;叶忠;韩启祥 - 上海瞻芯电子科技有限公司
  • 2019-12-30 - 2023-09-22 - H03K17/567
  • 本公开涉及一种栅极驱动装置及电子设备,所述装置用于驱动第一晶体管,所述装置包括栅极驱动单元、第一电阻、开关单元,其中:栅极驱动单元的驱动输出端电连接于所述第一电阻的第一端及开关单元的第一端,第一电阻的第二端电连接于所述第一晶体管的栅极及开关单元的第二端,栅极驱动单元的驱动输出端用于输出驱动信号以驱动第一晶体管,当驱动信号为负电压时,开关单元处于导通状态,驱动信号通过开关单元传输至第一晶体管的栅极。本公开可以避免当栅极驱动单元输出负电压时第一电阻造成的额外的电压降,从而抑制米勒效应,保护电路,且,本公开实施例提出的栅极驱动器装置结构简单、成本较低,易于推广利用。
  • 一种双触点开关脉冲控制电路-202310718687.1
  • 舒德兵 - 贵州航天电器股份有限公司
  • 2023-06-16 - 2023-09-19 - H03K17/567
  • 本发明提供的一种双触点开关脉冲控制电路;包括脉冲控制电路、防误动电路,所述脉冲控制电路产生脉冲信号对MOS管Q1进行控制使继电器K1和继电器K2交替处于接通状态,所述防误动电路通过三极管拉低继电器K1和继电器K2的电压,防止继电器K1或继电器K2同时接通。本发明通过使用对电能要求低的MOS管作为控制通断的开关,并通过常开和常闭继电器控制或阻断MOS开关的充电放电,达到MOS开关延迟关断,在时钟电路处于低电平时,仍然能够使两组触点开关交替接通。
  • 一种用于控制双IGBT的驱动电路-202222547117.4
  • 项文雄;叶泽林;楼杭颖 - 松下家电(中国)有限公司;杭州松下厨房电器有限公司
  • 2022-09-26 - 2023-09-19 - H03K17/567
  • 本实用新型提供了一种用于控制双IGBT的驱动电路,所述驱动电路包括IGBT选择模块、IGBT驱动模块、第一IGBT和第二IGBT,所述控制模块包括PWM驱动信号输出端口和I/O选择端口,所述PWM驱动信号输出端口与IGBT驱动模块连接,所述IGBT选择模块的输出端连接在IGBT驱动模块和PWM驱动信号输出端口中间,所述IGBT选择模块用于根据I/O选择端口的输出信号选择开通的IGBT。本实用新型能够单端口输出的驱动信号即可实现对于两个IGBT的驱动控制。
  • 一种基于差分对管IGBT驱动电路-202321293973.X
  • 李宓贞;王玮;林耿新 - 厦门势拓智动科技有限公司
  • 2023-05-25 - 2023-09-15 - H03K17/567
  • 本实用新型涉及驱动电路技术领域,提供一种基于差分对管的IGBT驱动电路,包括单片机、驱动电路以及IGBT功率管,所述驱动电路包括第一差分对管和第二差分对管;所述单片机向所述第一差分对管输出第一电平信号,控制所述第一差分对管导通截止,所述第一差分对管控制所述第二差分对管导通截止从而控制所述IGBT功率管的导通截止。本实用新型提供的一种基于差分对管的IGBT驱动电路,单片机通过输出的高低电平信号控制第一差分对管和第二差分对管导通截止,进而控制IGBT功率管的导通截止,使用驱动电路代替了传统的驱动芯片,成本更低、不受供货产能的限制,且电路设计相较于芯片更为灵活。
  • 信号传输设备和驱动设备-201910635506.2
  • 蘭明文 - 株式会社电装
  • 2019-07-15 - 2023-09-05 - H03K17/567
  • 一种信号传输设备,具有脉冲发生器、RS F/F电路和检测器,当PWM信号的状态改变时,发生器产生置位脉冲信号和/或复位脉冲信号。在产生置位脉冲信号之后,发生器在经过从产生置位脉冲信号算起的预定时间周期之后连续地产生下一脉冲信号。发生器根据选择器信号对算到首次传输下一脉冲信号的时间的预定时间周期进行调节。检测器基于从RS F/F电路接收到置位脉冲信号或复位脉冲信号的时间起算,到首次接收到下一脉冲信号的时间的预定时间周期,对选择器信号的状态进行检测。
  • IGBT驱动电路、芯片及电子设备-202223515334.1
  • 蓝海;黄辉;傅俊寅 - 深圳青铜剑技术有限公司
  • 2022-12-28 - 2023-08-29 - H03K17/567
  • 本申请公开了一种IGBT驱动电路、芯片及电子设备,所述IGBT电路包括若干个并联的门级开通电阻调节模块,用于与IGBT门级连接,根据导通的门级开通电阻调节模块的数量设置IGBT门级开通电阻;若干个并联的门级关断电阻调节模块,用于与IGBT门级连接,根据导通的门级关断电阻调节模块的数量设置IGBT门级关断电阻;控制模块,用于生成第一电阻调节信号或生成第二电阻调节信号输出;第一选通模块,用于根据第一电阻调节信号输出N个第三电阻调节信号以控制N个门级开通电阻调节模块导通;第二选通模块,用于根据第二电阻调节信号输出M个第四电阻调节信号以控制M个门级关断电阻调节模块导通。本申请的IGBT驱动电路能够精确调节IGBT门极电阻,提高IGBT器件的测试效率。
  • IGBT驱动电路及驱动系统-202320088501.4
  • 彭文科;刘珊红;王广;杨磊 - 国创巨湾(广州)能源科技有限公司
  • 2023-01-31 - 2023-08-29 - H03K17/567
  • 本实用新型公开了一种IGBT驱动电路及驱动系统,包括:输入模块、内部处理模块、输出模块和绝缘栅双极型晶体管,输入模块的输入端接入脉冲宽度调制信号,输入模块的输出端与内部处理模块的输入端相接,内部处理模块的输出端与输出模块的输入端相接,输出模块的输出端与绝缘栅双极型晶体管的控制端相接。通过输入模块接入脉冲宽度调制信号,实现绝缘栅双极型晶体管导通或关断时间的改变,通过内部处理模块和输出模块的元器件结构,对接入的供电电压进行缓冲,以此减小绝缘栅双极型晶体管的开关损耗,避免了现有的采用三极管和单一的门极驱动电阻串联组成的驱动电路存在的绝缘栅双极型晶体管的开关损耗过大,造成绝缘栅双极型晶体管损坏的问题。
  • 一种MCU高可靠负载开关的电路和电源-202310729474.9
  • 秦东旭;李善荣;翟乐 - 西安超越申泰信息科技有限公司
  • 2023-06-19 - 2023-08-25 - H03K17/567
  • 本发明提供了一种MCU高可靠负载开关的电路和电源,电路包括:整流电路,整流电路的输入端连接MCU;三极管,三极管的基极连接到整流电路的第一输出端,发射极连接到整流电路的第二输出端并且接地;MOS管,MOS管的栅极连接到三极管的集电极,源极连接到输入电源,漏极为电路的输出端。通过使用本发明的方案,能够对电源故障进行可靠保护,能够防止MCU死机造成的负载无法受保护的状态,在电子电路的各种保护设计中具有很好的通用性。
  • 一种开关及驱动装置-202310480701.9
  • 肖波;姚文海;王亮 - 华为数字能源技术有限公司
  • 2023-04-27 - 2023-08-25 - H03K17/567
  • 本申请提供了一种开关,其特征在于,包括:控制电路,用于生成低压侧驱动电流;驱动装置,包括:线缆,用于输送低压侧驱动电流,至少一个磁环,磁环上绕有线圈,所述线缆穿过所述至少一个磁环,且所述磁环与所述线缆之间具有间隙,所述磁环基于所述线缆中的低压侧驱动电流,生成高压侧驱动电流,绝缘层,包裹所述线缆,至少一个屏蔽结构,用于屏蔽电磁波,所述至少一个屏蔽结构与所述至少一个磁环一一对应,其中,所述屏蔽结构内嵌于所述绝缘层中,且每个屏蔽结构位于对应的磁环和所述线缆之间,晶闸管,基于所述高压侧驱动电流在导通和截止之间进行切换。通过在绝缘层中内嵌屏蔽网,解决高压磁环与低压侧线缆之间空气间隙的局部放电问题。
  • 一种非隔离可控硅开关电路及取电方法-202310712161.2
  • 吕锟山 - 保定市天朗电器有限责任公司
  • 2023-06-15 - 2023-08-22 - H03K17/567
  • 本发明公开了一种非隔离可控硅开关电路及取电方法,包括双向可控硅开关电路、触发电路、整流滤波电路及宽压稳压电路。本发明的有益效果是:在自取电的同时减小了体积,同时可以为开关的智能化及智能开关的小型化创造条件,进一步的,本申请结构简洁、成本低、可靠性高、易生产,跟传统的控制方式相比,具有能耗低,温升低,输入电压范围宽等优点;可以进行并联,实现二路及多路智能开关的同时,可以只使用一套滤波及电源电路,降低成本与体积的同时,因每路可控硅的控制电流很小,并不会明显增大整个电路的功耗,使得本申请在所述多路开关的构成上具有很大的灵活性;可以对触发电路进行简化,降低成本的同时,减小体积,以利于产品的实现。
  • 功率器件驱动装置与驱动方法-201910226756.0
  • 陈劲泉;陆玮;倪川 - 瓴芯电子科技(无锡)有限公司
  • 2019-03-25 - 2023-08-22 - H03K17/567
  • 本申请公开了一种功率器件驱动装置,包括分级控制单元,配置为接收至少系统开关信号和功率器件的反馈信号,并根据其所接收到的信号产生上拉强度控制信号或下拉强度控制信号;以及上拉阵列和/或下拉阵列,耦合在所述分级控制单元和所述功率器件之间,配置为根据所述上拉或下拉强度控制信号为所述功率器件提供相应的上拉或下拉阻抗。本申请还公开了相应的用电器和功率器件驱动方法。
  • 栅极控制电路及晶体管驱动电路-201910635291.4
  • 常次幸男 - 株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
  • 2019-07-15 - 2023-08-22 - H03K17/567
  • 本发明涉及栅极控制电路及晶体管驱动电路,即使在电源电压低且低温时,也能够确保高端浮动电源的电位差,按照命令控制高端侧和低端侧的各栅极电压。栅极控制电路具备:第一栅极控制部,基于第一基准电压节点与第二基准电压节点之间的电位差,对在第一基准电压节点与输出节点之间连接的第一晶体管的栅极电压进行控制;第二栅极控制部,基于第三基准电压节点与第四基准电压节点之间的电位差,对在输出节点与第四基准电压节点之间连接的第二晶体管的栅极电压进行控制;以及电压调整电路,在第一基准电压节点的电压从初始电压上升的中途的第一期间和从通常电压下降的中途的第二期间中,使第一基准电压节点与第二基准电压节点之间的电位差暂时地增大。
  • 一种基于IGBT驱动的模块安全控制保护及指示电路-202010741356.6
  • 蒲朝里;江之奎;罗军;张建保;江瀛 - 成都通用整流电器研究所
  • 2020-07-29 - 2023-08-18 - H03K17/567
  • 本发明公开了一种基于IGBT驱动的模块安全控制保护及指示电路,包括驱动信号测试模块、驱动信号输入接口模块、故障信号变换模块、驱动电源模块、第一IGBT驱动模块、第二IGBT驱动模块、第一IGBT过流自保持及指示模块、第二IGBT过流自保持及指示模块和外部接口模块;本发明模块安全控制保护及指示电路,在IGBT驱动器开通时,VCE(IGBT开通时,集电极与发射极电压)保护值稳定;运行过程中抗干扰性强,采用了双通道IGBT驱动,保护时故障点能自锁定,清晰指示任一路IGBT的保护情况,设置了输入信号测试模块,方便输入驱动信号的测试。
  • 功率器件开关速度控制方法、装置及电驱动系统-202310593577.7
  • 叶辰之;赵维娜;刘卫星 - 小米汽车科技有限公司
  • 2023-05-23 - 2023-08-15 - H03K17/567
  • 本公开涉及电子技术领域,尤其涉及一种功率器件开关速度控制方法、装置及电驱动系统。其中,该功率器件开关速度控制方法,包括:确定功率器件对应的开关电压应力阈值;对功率器件对应的开关电压应力进行检测,得到开关电压应力检测值;根据开关电压应力阈值和开关电压应力检测值,对功率器件的开关速度进行调节。采用本公开可以在保证功率器件的安全性的前提下降低开关损耗。
  • 一种直流断路器用支路开关组件-201910502543.6
  • 余军;范彩云;郭贤珊;宋全刚;肖晋;毛志云;王阔;屈春雷;王琼 - 许继集团有限公司;许继电气股份有限公司;国家电网有限公司
  • 2019-06-11 - 2023-08-15 - H03K17/567
  • 本发明涉及一种直流断路器用支路开关组件,直流断路器用支路开关组件包括组件框架,组件框架上设有IGBT阀段及主回路二极管阀段,组件框架上还设供电单元,主回路二极管之间以及相应IGBT单元与相应主回路二极管之间通过导电连接结构导电连接以形成相应的支路开关电路,导电连接结构包括布置在IGBT阀段、主回路二极管阀段下方的多个叠层母排,主回路二极管阀段及IGBT阀段上设有导电连接部,各叠层母排与导电连接部对应导电连接。将叠层母排设置在主回路二极管阀段及IGBT阀段下方,能够避免对主回路二极管阀段及IGBT阀段之间的安装间隙造成影响,可以减少两阀段之间的安装间隙,使得整个支路开关组件结构更加紧凑。而且连接时安装空间较大,安装较为方便。
  • 一种单键开关机与复位电路-201911043066.8
  • 张江 - 安徽国广数字科技有限公司
  • 2019-10-30 - 2023-08-11 - H03K17/567
  • 本发明提供一种单键开关机与复位电路,包括三极管电路、与所述三极管电路相连接的MOS管电路以及与所述三极管电路、MOS管电路相连接的7404非门电路;所述三级管电路包括三极管Q2以及与所述三级管Q2相连接的电阻R4、电阻R5以及电容C1;所述三极管Q2的基极与7404非门电路一端相连接,且在该7404非门电路与三级管Q2基极的连接线路上串接有一电阻R3;所述三极管Q2的发射极接公共地;所述MOS管电路包括MOS管Q1,该MOS管Q1为P沟道增强型MOS管;且所述MOS管Q1的漏极接外部电源电压VBAT,MOS管Q1的源极接外部电源BAT,MOS管Q1的栅极接三极管Q2的集电极,实际应用过程中,可避免MCU程序跑飞而意外关机,也可以实现MCU任意状态的软硬件复位,产品电源不受影响。
  • 一种实现半导体表面多路放电的系统和方法-201811628783.2
  • 吴云;张志波;金迪;贾敏;宋慧敏;梁华;崔巍 - 中国人民解放军空军工程大学
  • 2018-12-21 - 2023-08-01 - H03K17/567
  • 公开一种实现半导体表面多路放电的系统,由多个放电单元及相应的阻抗调控单元组成;多个放电单元串联连接,第一放电单元的正极与输入电压的高压端相连,第一放电单元的负极与第二放电单元的正极相连;以此类推,最后一个放电单元的负极则与输入电压的低压端相连;在多个放电单元中,彼此连接的两个放电单元之间的连接点通过阻抗反馈调控单元与输入电压的低压端相连。还公开了该系统的工作过程。本发明的半导体表面多路放电系统和方法,可以在不显著增加击穿电压要求的前提下,实现多电极击穿放电,扩大加热区域,提高电能利用率。
  • 一种用于储能变流器的大功率IGBT驱动电路-202223366115.1
  • 朱峰;罗雄飞;李蕴倬;苏哲侃;侯丽楠;刘勇;司瑶 - 国能龙源电气有限公司
  • 2022-12-15 - 2023-08-01 - H03K17/567
  • 本实用新型公开了一种用于储能变流器的大功率IGBT驱动电路,包括:信号接收电路、逻辑处理电路和驱动放大电路;所述信号接收电路与所述逻辑处理电路电连接,所述逻辑处理电路电与所述驱动放大电路连接;所述信号接收电路将光信号转化为数字信号,再将所述数字信号取反,得到取反信号;所述逻辑处理电路将高电平的取反信号转化为正电压信号,将低电平的取反信号转化为负电压信号;所述驱动放大电路将所述正电压信号或者负电压信号放大,向IGBT输入开通信号或关断信号。本实用新型公开的技术内容,可以稳定有效的驱动大功率IGBT开通和关断,提高了工作的可靠性;并且电路结构简单、成本低、功耗小等优点。
  • 一种IGBT驱动脉冲防护电路-202320005909.0
  • 刘苏成;王国俊;张万万 - 南京亚派科技股份有限公司
  • 2023-01-03 - 2023-07-28 - H03K17/567
  • 本发明公开了一种IGBT驱动脉冲防护电路,包括PWM使能脉冲控制电路与脉冲驱动电路;其中使能电路为:使能脉冲信号串联电阻R3后连接至三极管Q2的基极;Q2的集电极连接至MOS管Q1的栅极,基极与发射极之间并联电阻R4与电容C1并联而成的滤波电路;Q1的源极与栅极之间并联电阻R1;Q1的漏极输出使能信号;驱动电路为:PWM使能脉冲控制电路输出的使能信号与驱动信号分别输入与门U1A的两个输入端;与门的输出端串联电阻R5后连接至推挽电路的输入端;推挽电路由上NPN下PNP的两个三极管Q3、Q4连接而成;Q3、Q4的基极相连构成输入端;Q3的发射极与三极管Q4的发射极相连输出脉冲信号。本发明能够防护关键器件的不受损伤。
专利分类
×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top