[发明专利]基于等离子体增强效应的核壳结构钙钛矿LED及其制备方法

摘要

本发明属于半导体发光器件技术领域，具体涉及一种基于等离子体增强效应的核壳结构钙钛矿LED及制备方法。其结构由双面抛光的Al₂O₃衬底、n型GaN基板、ZnO纳米线阵列、Au纳米颗粒、MgZnO隔离层、CsPbBr₃发光层、p型NiO空穴提供层和接触电极构成。本发明一方面利用Au纳米颗粒的光吸收与CsPbBr₃的发光波长相吻合的特性实现CsPbBr₃发光层内激子与Au等离子体间的共振增强，提升器件的外量子效率；另一方面利用一维ZnO纳米线阵列作为主轴，实现多层同轴核壳结构的制备，这样可以增强对CsPbBr₃发光层的包覆效果，提升器件的工作稳定性。所制备的钙钛矿LED表现出高的外量子效率和出色的工作稳定性，对钙钛矿LED的效率提升与稳定性增强有重要的意义，有助于推动其实用化进展。

主权项

1.一种基于等离子体增强效应的核壳结构钙钛矿LED，包括衬底(1)，其特征在于：衬底(1)上设有n型GaN基板(2)、ZnO纳米线阵列(3)，ZnO纳米线阵列(3)顶部设有Au纳米颗粒(4)、Au纳米颗粒(4)外包覆有MgZnO隔离层(5)、MgZnO隔离层(5)外包覆有CsPbBr₃发光层(6)、CsPbBr₃发光层(6)外包覆有p型NiO空穴提供层(7)，p型NiO空穴提供层(7)上沉积有Au电极(9)，ZnO纳米线阵列(3)沉积有In电极(8)。