[发明专利]层叠结构、发光部件、发光装置和图像形成装置在审
| 申请号： | 201810127276.4 | 申请日： | 2018-02-08 |
| 公开（公告）号： | CN108428714A | 公开（公告）日： | 2018-08-21 |
| 发明（设计）人： | 近藤崇 | 申请（专利权）人： | 富士施乐株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/15 | 分类号： | H01L27/15;G03G15/04;G03G15/32 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 马爽;臧建明 |
| 地址： | 日本东京*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种层叠结构、发光部件、发光装置和图像形成装置，该层叠结构具备：晶闸管，所述晶闸管至少具有依次排列的阳极层、第一栅极层、第二栅极层和阴极层的四层；以及以与所述晶闸管串联连接的方式设置的发光元件，所述晶闸管具有半导体层，所述半导体层的带隙能量小于所述四层中的任一层的带隙能量。 | ||
| 搜索关键词： | 晶闸管 层叠结构 图像形成装置 半导体层 带隙能量 发光部件 发光装置 栅极层 发光元件 方式设置 依次排列 阳极层 阴极层 | ||
【主权项】：
1.一种层叠结构，其特征在于，具备：晶闸管，所述晶闸管至少具有依次排列的阳极层、第一栅极层、第二栅极层和阴极层的四层；以及以与所述晶闸管串联连接的方式设置的发光元件，所述晶闸管具有半导体层，所述半导体层的带隙能量小于所述四层中的任一层的带隙能量。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于富士施乐株式会社，未经富士施乐株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810127276.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：发光二极管显示器及其制造方法
- 下一篇：发光部件、发光装置和图像形成装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
