[发明专利]螺旋结构的嵌段共聚物半导体纳米线制备方法及其用途

摘要

本发明公开了一种螺旋结构的嵌段共聚物半导体纳米线制备方法及其用途，由嵌段共聚物半导体材料和聚合物绝缘材料分别溶解在溶剂中再混合形成共混溶液，通过控制嵌段共聚物半导体材料和聚合物绝缘材料的质量比，获得螺旋结构不同密度和直径的嵌段共聚物半导体纳米线。本发明嵌段共聚物半导体纳米线可作为有机场效应晶体管氨气传感器的半导体层，能够提高氨气传感的灵敏度，降低检出限，并且仅通过制备工艺条件的改变即可改变纳米线的密度和直径。本发明首次通过共混的方法制备出具有螺旋结构的嵌段共聚物半导体纳米线，并将其应用与氨气传感且获得了较高的传感性能。

主权项

1.螺旋结构的嵌段共聚物半导体纳米线制备方法，其特征在于：包括以下步骤：（1）、将嵌段共聚物半导体材料和聚合物绝缘材料分别溶解在各自有机溶剂中，再混合形成共混溶液，共混溶液中嵌段共聚物半导体材料和聚合物绝缘材料的质量比在1:80‑1:40；（2）、将步骤（1）得到的共混溶液旋涂在基底上，然后抽真空去除剩余溶剂，从而在基底上形成以聚合物绝缘材料为底层、以嵌段共聚物半导体材料为顶层的双层薄膜；（3）、将基底上形成的双层薄膜浸泡于中，使双层膜与基底分离并漂浮在过渡溶液表面，然后采用衬底放入过渡溶液中与双层膜表面接触，将双层薄膜翻转捞出，从而在衬底上形成以嵌段共聚物半导体材料为底层、以聚合物绝缘材料为顶层的翻转双层薄膜；（4）、采用正交溶剂浸泡步骤（3）得到的翻转双层薄膜，使绝缘材料溶解于正交溶剂中，以去除聚合物绝缘材料，即获得嵌段共聚物半导体纳米线，且嵌段共聚物半导体纳米线由于自身绝缘段的自组装特性形成螺旋结构。