[发明专利]大功率RF晶体管的嵌入式谐波端子有效
| 申请号： | 201810103428.7 | 申请日： | 2018-02-01 |
| 公开（公告）号： | CN108376679B | 公开（公告）日： | 2021-08-10 |
| 发明（设计）人： | C·格兹;G·比格尼 | 申请（专利权）人： | 克里公司 |
| 主分类号： | H01L23/66 | 分类号： | H01L23/66;H03F1/56;H03F3/195;H03F3/213 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 郑立柱;张昊 |
| 地址： | 美国北卡*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 半导体包括具有第一表面和相对面向的第二表面的半导体衬底。放大器设备形成在半导体衬底中，放大器设备被配置成在基本频率处放大RF信号。在衬底的第一表面上形成第一介电层。第一金属化层形成在第一介电层上。第一金属化层与衬底通过第一介电层间隔开。第一金属化层包括与第一参考电位板相互交叉的第一细长指状件。第一细长指状件与第一参考电位板物理地断开。第一参考电位板包括没有金属化的第一图案化形状。第一图案化形状具有过滤基本频率的谐波分量的几何结构。 | ||
| 搜索关键词： | 大功率 rf 晶体管 嵌入式 谐波 端子 | ||
【主权项】：
1.一种半导体设备，包括：半导体衬底，包括第一表面和相对面向的第二表面；放大器设备，形成在所述半导体衬底中，所述放大器设备在基本频率处放大RF信号；第一介电层，形成在所述衬底的所述第一表面上；第一金属化层，形成在所述第一介电层上，所述第一金属化层与所述衬底通过所述第一介电层间隔开，其中所述第一金属化层包括与第一参考电位板相互交叉的第一细长指状件，所述第一细长指状件与所述第一参考电位板物理地断开连接，其中所述第一参考电位板包括没有金属化的第一图案化形状，以及其中所述第一图案化形状具有过滤所述基本频率的谐波分量的几何结构。
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