[发明专利]阵列基板及其制作方法和显示面板

摘要

本发明公开了一种阵列基板及其制作方法和显示面板。阵列基板，包括多个薄膜晶体管，薄膜晶体管包括：栅极、氧化物半导体层和刻蚀阻挡层；刻蚀阻挡层位于氧化物半导体层之上；氧化物半导体层包括沟道区和非沟道区，非沟道区包括电极区和连接区，电极区包括第一电极区和第二电极区，连接区包括第一连接区和第二连接区，第一电极区、第一连接区、沟道区、第二连接区和第二电极区沿第一方向依次排列，第一方向与阵列基板平行，其中，氧化物半导体层被刻蚀阻挡层覆盖的区域为沟道区；栅极位于氧化物半导体层远离刻蚀阻挡层一侧；沿第二方向上，至少一个连接区的宽度小于沟道区的宽度。本发明减小了栅极与非沟道区的交叠面积，减小了寄生电容。

主权项

1.一种阵列基板，其特征在于，包括多个薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括：栅极、氧化物半导体层和刻蚀阻挡层；所述刻蚀阻挡层位于所述氧化物半导体层之上；所述氧化物半导体层包括沟道区和非沟道区，所述非沟道区包括电极区和连接区，所述电极区包括第一电极区和第二电极区，所述连接区包括第一连接区和第二连接区，所述第一电极区、所述第一连接区、所述沟道区、所述第二连接区和所述第二电极区沿第一方向依次排列，所述第一方向与所述阵列基板平行，其中，所述氧化物半导体层被所述刻蚀阻挡层覆盖的区域为所述沟道区；所述栅极位于所述氧化物半导体层远离所述刻蚀阻挡层一侧；沿第二方向上，至少一个所述连接区的宽度小于所述沟道区的宽度，所述第二方向与所述阵列基板平行，且与所述第一方向相交。