[发明专利]一种基于石墨烯/绝缘层/半导体结构的电荷耦合器件

摘要

本发明公开了一种基于石墨烯/绝缘层/半导体结构的电荷耦合器件，包括组成阵列的若干像素，所述像素自下而上依次包括栅极、半导体衬底、绝缘层、源极、漏极与石墨烯薄膜；所述源极和所述漏极水平间隔布置于所述绝缘层的上表面；所述石墨烯薄膜覆盖在所述源极、漏极及其之间的绝缘层的上表面。入射光照射到本发明的电荷耦合器件表面，被半导体衬底吸收。由于石墨烯薄膜的特殊性质，其通过电容性耦合可以有效收集载流子，产生的光电流信号直接从单个像素结构输出，实现本地读取、随机读取，无需采用传统器件的像素之间横向转移电荷方式，从根本上改变电荷耦合器件的电荷信号读出方式，提高成像系统的整体响应速度、线性动态范围和可靠性。

主权项

1.一种基于石墨烯/绝缘层/半导体结构的电荷耦合器件，包括组成阵列的若干像素，其特征在于，所述像素自下而上依次包括栅极、半导体衬底、绝缘层、源极、漏极与石墨烯薄膜；所述源极和所述漏极水平间隔布置于所述绝缘层的上表面；所述石墨烯薄膜覆盖在所述源极、漏极及其之间的绝缘层的上表面。