[发明专利]OLED阳极及其制造方法、OLED基板的制造方法有效

专利信息
申请号: 201810077201.X 申请日: 2018-01-25
公开(公告)号: CN108305959B 公开(公告)日: 2020-07-31
发明(设计)人: 喻蕾;李松杉 申请(专利权)人: 武汉华星光电半导体显示技术有限公司
主分类号: H01L51/56 分类号: H01L51/56;H01L51/52;H01L27/32
代理公司: 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 代理人: 钟子敏
地址: 430000 湖北省武汉市东湖新技术*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明公开一种OLED阳极及其制造方法、OLED基板的制造方法。所述OLED阳极的制造方法包括:形成第一导电图案;采用物理气象沉积PVD工艺在第一导电图案上形成反射层,所述PVD工艺的压强为0.8~1Pa、功率为2~4kw、惰性气体的流量为100~150sccm;在反射层上形成第二导电图案。基于此,本发明能够降低反射层中晶粒大小的均一性,提高反射层对可见光的反射率,改善OLED面板的发光效率。
搜索关键词: oled 阳极 及其 制造 方法
【主权项】:
1.一种OLED阳极的制造方法,其特征在于,所述方法包括:形成第一导电图案;采用物理气象沉积PVD工艺在第一导电图案上形成反射层,其中所述PVD工艺的压强为0.8~1Pa(帕斯卡)、功率为2~4kw(千瓦)、惰性气体的流量为100~150sccm(每分钟标准毫升);在所述反射层上形成第二导电图案。
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