[发明专利]OLED阳极及其制造方法、OLED基板的制造方法

权利要求书

1.一种OLED阳极的制造方法，其特征在于，所述方法包括：

形成第一导电图案；

采用物理气象沉积PVD工艺在第一导电图案上形成反射层，其中所述PVD工艺的压强为0.8～1Pa(帕斯卡)、功率为2～4kw(千瓦)、惰性气体的流量为100～150sccm(每分钟标准毫升)，以使得所述反射层中晶粒大小的均一性至少低于5％；其中所述晶粒的均一性满足以下关系式：(R1-R2)/2*R0*100％，R1为所述晶粒粒径的最大值，R2为所述晶粒粒径的最小值，R0为所有所述晶粒粒径的平均值；

在所述反射层上形成第二导电图案。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述反射层的材质包括银。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，采用氧化铟锡ITO形成所述第一导电图案和所述第二导电图案。

4.一种OLED基板的制造方法，其特征在于，所述方法包括：

提供衬底基材；

在所述衬底基材上形成TFT；

形成覆盖所述TFT的平坦层，所述平坦层开设有暴露所述TFT的漏极图案的跨接孔；

在所述平坦层上形成第一导电图案，所述第一导电图案覆盖所述跨接孔且与所述TFT的漏极图案接触；

采用物理气象沉积PVD工艺在第一导电图案上形成反射层，其中所述PVD工艺的压强为0.8～1Pa、功率为2～4kw、惰性气体的流量为100～150sccm，以使得所述反射层中晶粒大小的均一性至少低于5％；其中所述晶粒的均一性满足以下关系式：(R1-R2)/2*R0*100％，R1为所述晶粒粒径的最大值，R2为所述晶粒粒径的最小值，R0为所有所述晶粒粒径的平均值；

在所述反射层上形成第二导电图案；

形成覆盖所述平坦层的像素定义层，所述像素定义层开设有开口区，所述开口区暴露所述第二导电图案；

在所述第二导电图案上形成有机发光图案。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述TFT包括形成于所述衬底基材上的半导体图案、栅极绝缘层、栅极图案、介质隔离层和源漏电极层，所述源漏电极层包括同层间隔设置于所述介质隔离层上的源极图案和漏极图案，所述TFT还包括贯穿于所述介质隔离层和栅极绝缘层的两个通孔，所述两个通孔暴露所述半导体图案的上表面，所述源极图案和漏极图案覆盖分别所述两个通孔并与所述半导体图案接触。

6.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述反射层的材质包括银。

7.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，采用ITO形成所述第一导电图案和所述第二导电图案。

8.一种OLED阳极，其特征在于，所述OLED阳极包括依次层叠设置的第一导电图案、反射层和第二导电图案，所述反射层中晶粒大小的均一性至少低于5％，其中所述晶粒的均一性满足以下关系式：(R1-R2)/2*R0*100％，R1为所述晶粒粒径的最大值，R2为所述晶粒粒径的最小值，R0为所有所述晶粒粒径的平均值；

其中，所述反射层是在所述第一导电图案上采用物理气象沉积PVD工艺形成的，其中所述PVD工艺的压强为0.8～1Pa(帕斯卡)、功率为2～4kw(千瓦)、惰性气体的流量为100～150sccm(每分钟标准毫升)。

9.根据权利要求8所述的OLED阳极，其特征在于，所述反射层的材质包括银。

10.根据权利要求8所述的OLED阳极，其特征在于，所述第一导电图案和所述第二导电图案的材质均包括ITO。