[发明专利]OLED阳极及其制造方法、OLED基板的制造方法有效
申请号: | 201810077201.X | 申请日: | 2018-01-25 |
公开(公告)号: | CN108305959B | 公开(公告)日: | 2020-07-31 |
发明(设计)人: | 喻蕾;李松杉 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L51/56 | 分类号: | H01L51/56;H01L51/52;H01L27/32 |
代理公司: | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人: | 钟子敏 |
地址: | 430000 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | oled 阳极 及其 制造 方法 | ||
本发明公开一种OLED阳极及其制造方法、OLED基板的制造方法。所述OLED阳极的制造方法包括:形成第一导电图案;采用物理气象沉积PVD工艺在第一导电图案上形成反射层,所述PVD工艺的压强为0.8~1Pa、功率为2~4kw、惰性气体的流量为100~150sccm;在反射层上形成第二导电图案。基于此,本发明能够降低反射层中晶粒大小的均一性,提高反射层对可见光的反射率,改善OLED面板的发光效率。
技术领域
本发明涉及显示领域,具体涉及一种OLED(Organic Light-Emitting Diode,有机发光二极管)阳极及其制造方法、OLED基板的制造方法。
背景技术
与传统的液晶显示面板相比,OLED面板具有反应速度快、对比度高、视角广等优势,被视为下一代显示技术。OLED面板的发光原理是:对阳极和阴极施加电压,在电压驱动下,电子的空穴分别从阴极和阳极注入到电子和空穴传输层,在迁移至发光层,并在发光层相遇,形成激子并使发光分子激发以发出可见光。
在顶发光式(Top emission)OLED面板的结构设计中,由于银(Ag)具有良好的导电性和反射性,其被广泛应用于制造阳极(anode)。但是,在目前采用银形成反射层的工艺中,如图1所示,沉积形成的晶粒11的均一性(uniformity)较差,一般为30%左右,晶粒11排布不整齐,对光的反射性不理想,例如在可见光波长为550nm时的反射率仅为97%左右,这无疑会影响OLED面板的发光效率。
发明内容
鉴于此,本发明提供一种OLED阳极及其制造方法、OLED基板的制造方法,能够降低反射层中晶粒的均一性,提高反射层对可见光的反射率,改善OLED面板的发光效率。
本发明一实施例的OLED阳极的制造方法,包括:
形成第一导电图案;
采用PVD(Physical Vapor Deposition,物理气象沉积)工艺在第一导电图案上形成反射层,PVD工艺的压强为0.8~1Pa(帕斯卡)、功率为2~4kw(千瓦)、惰性气体的流量为100~150sccm(每分钟标准毫升);
在所述反射层上形成第二导电图案。
本发明一实施例的OLED基板的制造方法,包括:
提供衬底基材;
在所述衬底基材上形成TFT;
形成覆盖所述TFT的平坦层,所述平坦层开设有暴露所述TFT的漏极图案的跨接孔;
在所述平坦层上形成第一导电图案,所述第一导电图案覆盖所述跨接孔且与所述TFT的漏极图案接触;
采用物理气象沉积PVD工艺在第一导电图案上形成反射层,其中所述PVD工艺的压强为0.8~1Pa、功率为2~4kw、惰性气体的流量为100~150sccm;
在所述反射层上形成第二导电图案;
形成覆盖所述平坦层的像素定义层,所述像素定义层开设有开口区,所述开口区暴露所述第二导电图案;
在所述第二导电图案上形成有机发光图案。
本发明一实施例的OLED阳极,包括依次层叠设置的第一导电图案、反射层和第二导电图案,所述反射层中晶粒大小的均一性至少低于5%。
有益效果:本发明在采用PVD工艺形成反射层的过程中,设计PVD工艺的压强为0.8~1Pa、功率为2~4kw、惰性气体的流量为100~150sccm,反射层中的晶粒排布整齐,能够降低反射层中晶粒的均一性,从而可以提高反射层对可见光的反射率,改善OLED面板的发光效率。
附图说明
图1是现有技术的反射层中晶体的排布示意图;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择