[发明专利]制作半导体装置的方法及形成介电层的方法在审
| 申请号： | 201810069059.4 | 申请日： | 2018-01-24 |
| 公开（公告）号： | CN108346559A | 公开（公告）日： | 2018-07-31 |
| 发明（设计）人： | 郑元雄;黄宣惠;曹仑廷;崔晶植;周晓兵;布莱恩大卫·雷肯;黄秉槿;麦可大卫·泰根霍夫 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社;美国陶氏有机硅公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/8242;H01L27/11521;H01L21/336;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 刘培培;黄隶凡 |
| 地址： | 韩国京畿道水*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种制作半导体装置的方法及形成介电层的方法。制作半导体装置的方法包括：在衬底上形成具有高度差的结构；以及使用原子层沉积方法在所述结构上形成介电层结构。形成所述介电层结构包括在具有所述高度差的所述结构上形成包含氮化硅的第一介电层。形成所述第一介电层包括将包含五氯二硅烷或二异丙胺五氯二硅烷作为硅前体的第一气体以及包含氮成分的第二气体馈送到包括所述衬底的腔室中，使得在具有所述高度差的所述结构上在原位形成所述第一介电层。 | ||
| 搜索关键词： | 介电层 半导体装置 高度差 氯二硅烷 衬底 制作 原子层沉积 二异丙胺 原位形成 氮化硅 硅前体 腔室 | ||
【主权项】：
1.一种制作半导体装置的方法，其特征在于，包括：在衬底上形成具有高度差的结构；以及使用原子层沉积方法在所述结构上形成介电层结构，其中形成所述介电层结构包括在具有所述高度差的所述结构上形成包含氮化硅的第一介电层，其中形成所述第一介电层包括将包含五氯二硅烷或二异丙胺五氯二硅烷作为硅前体的第一气体以及包含氮成分的第二气体馈送到包括所述衬底的腔室中，使得在具有所述高度差的所述结构上在原位形成所述第一介电层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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