[发明专利]制作半导体装置的方法及形成介电层的方法

权利要求书

1.一种制作半导体装置的方法，其特征在于，包括：

在衬底上形成具有高度差的结构；以及

使用原子层沉积方法在所述结构上形成介电层结构，

其中

形成所述介电层结构包括在具有所述高度差的所述结构上形成包含氮化硅的第一介电层，其中形成所述第一介电层包括将包含五氯二硅烷或二异丙胺五氯二硅烷作为硅前体的第一气体以及包含氮成分的第二气体馈送到包括所述衬底的腔室中，使得在具有所述高度差的所述结构上在原位形成所述第一介电层。

2.根据权利要求1所述的制作半导体装置的方法，其特征在于，形成所述第一介电层包括通过将第一吹洗气体馈送到所述腔室中来吹洗所述第一气体的未反应部分以及通过将第二吹洗气体馈送到所述腔室中来吹洗所述第二气体的未反应部分。

3.根据权利要求1所述的制作半导体装置的方法，其特征在于，形成所述第一介电层包括在300℃到400℃的温度下以0.8埃/循环或高于0.8埃/循环的每循环生长速率来沉积所述硅前体。

4.根据权利要求3所述的制作半导体装置的方法，其特征在于，形成所述第一介电层包括在300℃的温度下以0.9埃/循环或高于0.9埃/循环的每循环生长速率来沉积所述硅前体。

5.根据权利要求1所述的制作半导体装置的方法，其特征在于，形成所述介电层结构还包括在所述衬底与所述第一介电层之间形成包含氧化硅的第二介电层。

6.根据权利要求5所述的制作半导体装置的方法，其特征在于，

具有所述高度差的所述结构包括全局位线，且

形成所述介电层结构还包括在所述全局位线上形成所述第二介电层，以及在所述第二介电层上形成所述第一介电层。

7.根据权利要求5所述的制作半导体装置的方法，其特征在于，

具有所述高度差的所述结构包括电荷存储层，且

形成所述介电层结构还包括在所述电荷存储层上形成所述第二介电层，以及在所述第二介电层上形成所述第一介电层。

8.根据权利要求1所述的制作半导体装置的方法，其特征在于，

具有所述高度差的所述结构包括栅极，且

形成所述第一介电层还包括在所述栅极的侧壁上形成所述第一介电层。

9.根据权利要求1所述的制作半导体装置的方法，其特征在于，所述第二气体包括氮气及氨气中的至少一个。

10.一种制作半导体装置的方法，其特征在于，包括：

在衬底上形成结构；以及

使用原子层沉积方法在腔室内在所述结构上形成氮化硅层，

其中形成所述氮化硅层包括将包含五氯二硅烷及二异丙基胺基五氯二硅烷中的一个作为硅前体的第一气体馈送到所述腔室中，通过将第一吹洗气体馈送到所述腔室中来吹洗所述第一气体的未反应部分，将包含氮气的第二气体馈送到所述腔室中，并通过将第二吹洗气体馈送到所述腔室中来吹洗所述第二气体的未反应部分。

11.根据权利要求10所述的制作半导体装置的方法，其特征在于，形成所述氮化硅层包括在所述衬底上形成第一栅极图案及第二栅极图案，形成绝缘层图案以覆盖所述第一栅极图案及所述第二栅极图案，在所述绝缘层图案中在所述第一栅极图案与所述第二栅极图案之间形成沟槽，以及在所述沟槽的侧壁上形成所述氮化硅层。

12.根据权利要求10所述的制作半导体装置的方法，其特征在于，所述结构具有为10或大于10的纵横比。

13.根据权利要求10所述的制作半导体装置的方法，其特征在于，还包括使用所述氮化硅层作为掩模层来蚀刻所述结构。