[发明专利]半导体结构及其形成方法

摘要

一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供包括单元存储器区和外围区的衬底，单元存储器区栅极叠层结构和衬底围成沟槽；在沟槽侧壁形成保护层；在沟槽内形成顶部低于栅极叠层结构顶部的阻挡层；沉积介质材料并刻蚀介质材料，在外围区栅极叠层结构侧壁形成侧墙，且剩余介质材料填充形成有阻挡层的沟槽；去除高于阻挡层顶部的介质材料、侧墙和保护层；去除阻挡层；将露出的栅极叠层结构转化为金属硅化物层；形成覆盖金属硅化物层和侧墙的顶部介质层，顶部介质层还位于沟槽内且在沟槽开口处密封沟槽，且在沟槽内围成孔洞。顶部介质层在沟槽内的填孔能力较差，因此在沟槽内围成孔洞，孔洞作为空气侧墙，从而减小相邻字线之间的电容。

主权项

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底包括单元存储器区和外围区，所述衬底上形成多个分立的栅极叠层结构，所述单元存储器区的相邻栅极叠层结构和所述衬底围成沟槽；在所述沟槽的侧壁形成保护层；形成所述保护层后，在所述沟槽内形成阻挡层，所述阻挡层的顶部低于所述栅极叠层结构的顶部；沉积介质材料并刻蚀所述介质材料，保留位于所述外围区栅极叠层结构侧壁的介质材料作为侧墙，且剩余介质材料还填充形成有所述阻挡层的沟槽；去除高于所述阻挡层顶部的介质材料、侧墙和保护层，露出所述栅极叠层结构的部分侧壁；露出所述栅极叠层结构的部分侧壁后，去除所述阻挡层；去除所述阻挡层后，采用金属硅化物工艺，将露出的栅极叠层结构转化为金属硅化物层；形成覆盖所述金属硅化物层和侧墙的顶部介质层，所述顶部介质层还形成于所述沟槽内，且所述顶部介质层在所述沟槽开口位置处密封所述沟槽，且在所述沟槽内围成孔洞。