[发明专利]被加工物的加工方法有效
| 申请号： | 201810039093.7 | 申请日： | 2018-01-16 |
| 公开（公告）号： | CN108453370B | 公开（公告）日： | 2021-05-25 |
| 发明（设计）人： | 淀良彰 | 申请（专利权）人： | 株式会社迪思科 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;B23K26/00;B23K26/53;B28D5/02;B28D7/00;B28D7/04;H01L21/78 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 于靖帅;乔婉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供一种被加工物的加工方法，在形成改质层然后将被加工物分割成芯片的情况下，提高芯片的抗折强度。一种被加工物(W)的加工方法，该被加工物(W)具有设定了多条间隔道(S)的正面(Wa)，其中，该被加工物(W)的加工方法包含如下的步骤：激光束照射步骤，将对于被加工物(W)具有透过性的波长的激光束的聚光点定位在被加工物(W)的内部，沿着间隔道(S)对被加工物(W)的背面(Wb)照射激光束而形成沿着间隔道(S)的改质层(ML)并且延伸出从改质层(ML)到正面(Wa)的裂纹(C)；以及切削步骤，在实施了激光束照射步骤之后，一边对被加工物(W)提供切削液，一边沿着间隔道(S)利用切削刀具(60)对被加工物(W)的背面(Wb)进行切削而将改质层(ML)去除。 | ||
| 搜索关键词： | 加工 方法 | ||
【主权项】：
1.一种被加工物的加工方法，该被加工物具有设定了多条间隔道的正面，其中，该被加工物的加工方法具有如下的步骤：激光束照射步骤，将对于被加工物具有透过性的波长的激光束的聚光点定位在被加工物的内部，沿着该间隔道对被加工物的背面照射该激光束而形成沿着该间隔道的改质层并且延伸出从该改质层到该正面的裂纹；以及切削步骤，在实施了该激光束照射步骤之后，一边对被加工物提供切削液，一边沿着被加工物的该间隔道利用切削刀具对该背面进行切削而将该改质层去除。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社迪思科，未经株式会社迪思科许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810039093.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种用于厚板叠层铝合金搅拌摩擦焊的搅拌头
- 下一篇：目标的激光处理方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
