[发明专利]被加工物的加工方法有效
申请号: | 201810039093.7 | 申请日: | 2018-01-16 |
公开(公告)号: | CN108453370B | 公开(公告)日: | 2021-05-25 |
发明(设计)人: | 淀良彰 | 申请(专利权)人: | 株式会社迪思科 |
主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304;B23K26/00;B23K26/53;B28D5/02;B28D7/00;B28D7/04;H01L21/78 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 于靖帅;乔婉 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 加工 方法 | ||
1.一种被加工物的加工方法,该被加工物具有设定了多条间隔道的正面,其中,该被加工物的加工方法具有如下的步骤:
激光束照射步骤,将对于被加工物具有透过性的波长的激光束的聚光点定位在被加工物的内部,沿着该间隔道对被加工物的背面照射该激光束而形成沿着该间隔道的改质层并且延伸出从该改质层到该正面的裂纹;以及
切削步骤,在实施了该激光束照射步骤之后,一边对被加工物提供切削液,一边沿着被加工物的该间隔道利用切削刀具对该背面进行切削而将该改质层去除,
在所述切削步骤中,在所述切削刀具的前端的截面中的最下方位置相对于所述裂纹在与所述间隔道的延伸方向垂直的方向上错开的状态下执行切削,从而防止切削屑与所述切削液一起浸入到该裂纹中。
2.根据权利要求1所述的被加工物的加工方法,其中,
所述切削刀具的前端的截面形状是中心比两端凹陷的中间凹陷形状,或者是从左右一侧向另一侧倾斜的单侧削减形状,
在所述切削步骤中,在该切削刀具的厚度方向的中心与所述裂纹一致的状态下执行切削。
3.根据权利要求1所述的被加工物的加工方法,其中,
所述切削刀具的前端的截面形状为R形状,
在所述切削步骤中,在该切削刀具的厚度方向的中心相对于所述裂纹在与所述间隔道的延伸方向垂直的方向上错开的状态下执行切削。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造