[发明专利]被加工物的加工方法

说明书

提供一种被加工物的加工方法，在形成改质层然后将被加工物分割成芯片的情况下，提高芯片的抗折强度。一种被加工物(W)的加工方法，该被加工物(W)具有设定了多条间隔道(S)的正面(Wa)，其中，该被加工物(W)的加工方法包含如下的步骤：激光束照射步骤，将对于被加工物(W)具有透过性的波长的激光束的聚光点定位在被加工物(W)的内部，沿着间隔道(S)对被加工物(W)的背面(Wb)照射激光束而形成沿着间隔道(S)的改质层(ML)并且延伸出从改质层(ML)到正面(Wa)的裂纹(C)；以及切削步骤，在实施了激光束照射步骤之后，一边对被加工物(W)提供切削液，一边沿着间隔道(S)利用切削刀具(60)对被加工物(W)的背面(Wb)进行切削而将改质层(ML)去除。

技术领域

本发明涉及半导体晶片等被加工物的加工方法。

背景技术

实用化了如下的被称为隐形切割的加工方法：将对于半导体晶片等被加工物具有透过性的波长的激光束的聚光点定位在与被称为间隔道的分割预定线对应的内部而从背面侧进行照射，在被加工物内部形成改质层，对该改质层施加外力而将被加工物分割成各个芯片(例如，参照专利文献1)。

专利文献1：日本特许3408805号公报

在隐形切割中，为了提高分割成芯片的分割性，优选按照产生从改质层到正面的裂纹的条件对被加工物实施激光加工。另一方面，当在通过在激光加工后对被加工物进行磨削薄化而制作的芯片中残存有改质层时，存在芯片的抗折强度降低的问题。

发明内容

因此，本发明的目的在于，提供被加工物的加工方法，在通过隐形切割将被加工物分割成各个芯片的情况下，能够提高芯片的抗折强度而不会损伤分割成芯片的分割性。

根据本发明，提供被加工物的加工方法，该被加工物具有设定了多条间隔道的正面，其中，该被加工物的加工方法具有如下的步骤：激光束照射步骤，将对于被加工物具有透过性的波长的激光束的聚光点定位在被加工物的内部，沿着该间隔道对被加工物的背面照射该激光束而形成沿着该间隔道的改质层并且延伸出从该改质层到该正面的裂纹；以及切削步骤，在实施了该激光束照射步骤之后，一边对被加工物提供切削液，一边沿着被加工物的该间隔道利用切削刀具对该背面进行切削而将该改质层去除。

优选在所述切削步骤中，在所述切削刀具的前端的截面中的最下方位置相对于所述裂纹在与所述间隔道的延伸方向垂直的方向上错开的状态下执行切削，从而防止切削屑与所述切削液一起浸入到该裂纹中。

优选所述切削刀具的前端的截面形状是中心比两端凹陷的中间凹陷形状，或者是从左右一侧向另一侧倾斜的单侧削减形状，在所述切削步骤中，在切削刀具的厚度方向的中心与所述裂纹一致的状态下执行切削。

优选所述切削刀具的前端的截面形状为R形状，在所述切削步骤中，在该切削刀具的厚度方向的中心相对于所述裂纹在与所述间隔道的延伸方向垂直的方向上错开的状态下执行切削。

根据本发明，能够得到裂纹形成所带来的芯片分割性提高的优点，还能够实现改质层去除带来的芯片抗折强度提高。

并且，在切削步骤中，通过在切削刀具的前端的截面中的最下方位置相对于裂纹在与间隔道的延伸方向垂直的方向上错开的状态下执行切削，能够防止切削屑与切削液一起浸入到裂纹中，并能够防止在芯片侧面附着污物。

附图说明

图1是示出被加工物的一例的立体图。

图2是示出通过激光束照射单元在被加工物中形成改质层和裂纹的状态的剖视图。

图3是示出形成有改质层和裂纹的被加工物的一部分的剖视图。

图4是示出通过前端的截面为中间凹陷形状的切削刀具对被加工物进行切削的状态的一部分的剖视图。