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[发明专利]晶片的加工方法-CN201910593706.6有效
发明人：原田成规;松泽稔;木内逸人;淀良彰;荒川太朗;上里昌充;河村慧美子;藤井祐介;宫井俊辉;大前卷子 -专利权人：株式会社迪思科
申请日： 2019-07-03 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：提供晶片的加工方法，在不降低品质的情况下形成器件芯片。该晶片的加工方法将在由分割预定线划分的正面的各区域内形成有多个器件的晶片分割成各个器件芯片，其中，该晶片的加工方法具有如下的工序：聚酯系片配设工序，将晶片定位于具有对晶片进行收纳的开口的框架的该开口内，将聚酯系片配设在晶片的背面和框架的外周上；一体化工序，对该聚酯系片进行加热，通过热压接使晶片和该框架借助该聚酯系片而一体化；分割工序，使用具有切削刀具并且该切削刀具能够旋转的切削装置，沿着分割预定线对该晶片进行切削而将该晶片分割成各个器件芯片；以及拾取工序，对该聚酯系片进行加热，将器件芯片上推，拾取该器件芯片。
晶片加工方法

[发明专利]板状物加工方法-CN201911068976.1有效
发明人： 淀良彰;木内逸人 -专利权人：株式会社迪思科
申请日： 2019-11-05 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01L21/78 文献下载
摘要：提供板状物加工方法，即使在一边对晶片或CSP基板等板状物的正面进行保护一边进行分割的情况下，也不会使生产效率劣化。该板状物加工方法至少包含如下的工序：支承部件配设工序，在被加工物(10)的背面(10b)上配设支承部件；片配设工序，在该支承部件配设工序之前或之后，在被加工物的正面(10a)上敷设热压接片(20)并进行加热而进行热压接；分割工序，将分割单元定位于要分割的区域而将被加工物与热压接片一起分割成各个芯片；一体化工序，对与各个芯片对应地被分割的热压接片(20)进行加热，使该热压接片熔融，将在分割工序中被分割的热压接片(20)连结而进行一体化；以及剥离工序，将一体化的热压接片(20)从被加工物(10)剥离。
板状物加工方法

[发明专利]芯片的制造方法-CN201811080404.0有效
发明人： 淀良彰;赵金艳 -专利权人：株式会社迪思科
申请日： 2018-09-17 - 公布日： 2021-12-21 - 主分类号： B28D5/00 文献下载
摘要：提供芯片的制造方法，不使用扩展片而能够对板状的被加工物进行分割而制造出多个芯片。该芯片的制造方法包含如下的步骤：第1激光加工步骤，按照将对于被加工物具有透过性的波长的激光束的聚光点定位于第1深度的位置的方式沿着分割预定线仅对芯片区域照射激光束，沿着芯片区域的分割预定线形成第1改质层；第2激光加工步骤，按照将对于被加工物具有透过性的波长的激光束的聚光点定位于第2深度的位置的方式沿着分割预定线照射激光束，形成端部与外周剩余区域重叠的第2改质层；以及分割步骤，对被加工物赋予力而将被加工物分割成各个芯片，在分割步骤中，通过加热和冷却来赋予力而将被加工物分割成各个芯片。
芯片制造方法

[发明专利]晶片的加工方法-CN202011214260.0在审
发明人：原田成规;松泽稔;木内逸人;淀良彰;荒川太朗;上里昌充;河村慧美子;藤井祐介;宫井俊辉;大前卷子 -专利权人：株式会社迪思科
申请日： 2020-11-04 - 公布日： 2021-05-25 - 主分类号： H01L21/78 文献下载
摘要：本发明提供晶片的加工方法，不降低品质而形成器件芯片。该晶片的加工方法将在由分割预定线划分的正面的各区域内形成有多个器件的晶片分割成各个器件芯片，其中，该晶片的加工方法具有如下的工序：聚酯系片配设工序，将晶片定位于具有对晶片进行收纳的开口的框架的该开口内，将聚酯系片配设在晶片的背面或正面上以及框架的外周上；一体化工序，对该聚酯系片进行加热，通过热压接使晶片与该框架借助该聚酯系片而一体化；分割工序，沿着该分割预定线对该晶片照射对于该晶片具有透过性的波长的激光束，在该晶片中形成盾构隧道，将该晶片分割成各个器件芯片；以及拾取工序，对该聚酯系片赋予超声波，将器件芯片顶起，拾取该器件芯片。
晶片加工方法

[发明专利]晶片的加工方法-CN202011214261.5在审
发明人：原田成规;松泽稔;木内逸人;淀良彰;荒川太朗;上里昌充;河村慧美子;藤井祐介;宫井俊辉;大前卷子 -专利权人：株式会社迪思科
申请日： 2020-11-04 - 公布日： 2021-05-25 - 主分类号： H01L21/78 文献下载
摘要：本发明提供晶片的加工方法，不降低品质而形成器件芯片。该晶片的加工方法将在由分割预定线划分的正面的各区域内形成有多个器件的晶片分割成各个器件芯片，其中，该晶片的加工方法具有如下的工序：聚烯烃系片配设工序，将晶片定位于具有对晶片进行收纳的开口的框架的该开口内，将聚烯烃系片配设在晶片的背面或正面上以及框架的外周上；一体化工序，对该聚烯烃系片进行加热，通过热压接使晶片与该框架借助该聚烯烃系片而一体化；分割工序，沿着该分割预定线对该晶片照射对于该晶片具有透过性的波长的激光束，在该晶片中形成盾构隧道，将该晶片分割成各个器件芯片；以及拾取工序，对该聚烯烃系片赋予超声波，将器件芯片顶起，拾取该器件芯片。
晶片加工方法

[发明专利]被加工物的加工方法-CN201810039093.7有效
发明人： 淀良彰 -专利权人：株式会社迪思科
申请日： 2018-01-16 - 公布日： 2021-05-25 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：提供一种被加工物的加工方法，在形成改质层然后将被加工物分割成芯片的情况下，提高芯片的抗折强度。一种被加工物(W)的加工方法，该被加工物(W)具有设定了多条间隔道(S)的正面(Wa)，其中，该被加工物(W)的加工方法包含如下的步骤：激光束照射步骤，将对于被加工物(W)具有透过性的波长的激光束的聚光点定位在被加工物(W)的内部，沿着间隔道(S)对被加工物(W)的背面(Wb)照射激光束而形成沿着间隔道(S)的改质层(ML)并且延伸出从改质层(ML)到正面(Wa)的裂纹(C)；以及切削步骤，在实施了激光束照射步骤之后，一边对被加工物(W)提供切削液，一边沿着间隔道(S)利用切削刀具(60)对被加工物(W)的背面(Wb)进行切削而将改质层(ML)去除。
加工方法

[发明专利]晶片的加工方法-CN202011013365.X在审
发明人：原田成规;松泽稔;木内逸人;淀良彰;荒川太朗;上里昌充;河村慧美子;藤井祐介;宫井俊辉;大前卷子 -专利权人：株式会社迪思科
申请日： 2020-09-24 - 公布日： 2021-04-20 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本发明提供晶片的加工方法，不降低品质而形成器件芯片。该晶片的加工方法将在由分割预定线划分的正面的各区域内形成有多个器件的晶片分割成各个器件芯片，其中，该晶片的加工方法具有如下的工序：聚酯系片配设工序，将晶片定位于具有对晶片进行收纳的开口的框架的该开口内，将聚酯系片配设在晶片的背面或正面上以及框架的外周上；一体化工序，对该聚酯系片进行加热，通过热压接使晶片与该框架借助该聚酯系片而一体化；分割工序，沿着该分割预定线对该晶片照射对于该晶片具有透过性的波长的激光束，在该晶片中形成盾构隧道，将该晶片分割成各个器件芯片；以及拾取工序，对该聚酯系片进行冷却，将器件芯片顶起，拾取该器件芯片。
晶片加工方法

[发明专利]晶片的加工方法-CN202011015035.4在审
发明人：原田成规;松泽稔;木内逸人;淀良彰;荒川太朗;上里昌充;河村慧美子;藤井祐介;宫井俊辉;大前卷子 -专利权人：株式会社迪思科
申请日： 2020-09-24 - 公布日： 2021-04-20 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本发明提供晶片的加工方法，不降低品质而形成器件芯片。该晶片的加工方法将在由分割预定线划分的正面的各区域内形成有多个器件的晶片分割成各个器件芯片，其中，该晶片的加工方法具有如下的工序：聚烯烃系片配设工序，将晶片定位于具有对晶片进行收纳的开口的框架的该开口内，将聚烯烃系片配设在晶片的背面或正面上以及框架的外周上；一体化工序，对该聚烯烃系片进行加热，通过热压接使晶片与该框架借助该聚烯烃系片而一体化；分割工序，沿着该分割预定线对该晶片照射对于该晶片具有透过性的波长的激光束，在该晶片中形成盾构隧道，将该晶片分割成各个器件芯片；以及拾取工序，对该聚烯烃系片进行冷却，将器件芯片顶起，拾取该器件芯片。
晶片加工方法

[发明专利]晶片的加工方法-CN202010994196.6在审
发明人：原田成规;松泽稔;木内逸人;淀良彰;荒川太朗;上里昌充;河村慧美子;藤井祐介;宫井俊辉;大前卷子 -专利权人：株式会社迪思科
申请日： 2020-09-21 - 公布日： 2021-04-13 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本发明提供晶片的加工方法，不降低品质而形成器件芯片。该晶片的加工方法将在由分割预定线划分的正面的各区域内形成有多个器件的晶片分割成各个器件芯片，其中，该晶片的加工方法具有如下的工序：聚酯系片配设工序，将晶片定位于具有对晶片进行收纳的开口的框架的该开口内，将聚酯系片配设在晶片的背面或正面上以及框架的外周上；一体化工序，对该聚酯系片进行加热，通过热压接使晶片与该框架借助该聚酯系片而一体化；分割工序，沿着该分割预定线对该晶片照射对于该晶片具有透过性的波长的激光束，在该晶片中形成盾构隧道，将该晶片分割成各个器件芯片；以及拾取工序，对该聚酯系片进行加热，将器件芯片顶起，拾取该器件芯片。
晶片加工方法

[发明专利]晶片的加工方法-CN202010994199.X在审
发明人：原田成规;松泽稔;木内逸人;淀良彰;荒川太朗;上里昌充;河村慧美子;藤井祐介;宫井俊辉;大前卷子 -专利权人：株式会社迪思科
申请日： 2020-09-21 - 公布日： 2021-04-13 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本发明提供晶片的加工方法，不降低品质而形成器件芯片。该晶片的加工方法将在由分割预定线划分的正面的各区域内形成有多个器件的晶片分割成各个器件芯片，其中，该晶片的加工方法具有如下的工序：聚烯烃系片配设工序，将晶片定位于具有对晶片进行收纳的开口的框架的该开口内，将聚烯烃系片配设在晶片的背面或正面上以及框架的外周上；一体化工序，对该聚烯烃系片进行加热，通过热压接使晶片与该框架借助该聚烯烃系片而一体化；分割工序，沿着该分割预定线对该晶片照射对于该晶片具有透过性的波长的激光束，在该晶片中形成盾构隧道，将该晶片分割成各个器件芯片；以及拾取工序，对该聚烯烃系片进行加热，将器件芯片顶起，拾取该器件芯片。
晶片加工方法

[发明专利]晶片的加工方法-CN202010932696.7在审
发明人：原田成规;松泽稔;木内逸人;淀良彰;荒川太朗;上里昌充;河村慧美子;藤井祐介;宫井俊辉;大前卷子 -专利权人：株式会社迪思科
申请日： 2020-09-08 - 公布日： 2021-03-12 - 主分类号： H01L21/78 文献下载
摘要：本发明提供晶片的加工方法，不降低品质而形成器件芯片。该晶片的加工方法将在由分割预定线划分的正面的各区域内形成有多个器件的晶片分割成各个器件芯片，其中，该晶片的加工方法具有如下的工序：聚烯烃系片配设工序，将晶片定位于具有对晶片进行收纳的开口的框架的该开口内，将聚烯烃系片配设在晶片的背面或正面上以及框架的外周上；一体化工序，对该聚烯烃系片进行加热，通过热压接使晶片与该框架借助该聚烯烃系片而一体化；分割工序，沿着该分割预定线对该晶片照射对于该晶片具有透过性的波长的激光束，在该晶片中形成盾构隧道，将该晶片分割成各个器件芯片；以及拾取工序，吹送空气而将器件芯片顶起，从该聚烯烃系片拾取各个该器件芯片。
晶片加工方法

[发明专利]晶片的加工方法-CN202010933662.X在审
发明人：原田成规;松泽稔;木内逸人;淀良彰;荒川太朗;上里昌充;河村慧美子;藤井祐介;宫井俊辉;大前卷子 -专利权人：株式会社迪思科
申请日： 2020-09-08 - 公布日： 2021-03-12 - 主分类号： H01L21/78 文献下载
摘要：本发明提供晶片的加工方法，不降低品质而形成器件芯片。该晶片的加工方法将在由分割预定线划分的正面的各区域内形成有多个器件的晶片分割成各个器件芯片，其中，该晶片的加工方法具有如下的工序：聚酯系片配设工序，将晶片定位于具有对晶片进行收纳的开口的框架的该开口内，将聚酯系片配设在晶片的背面或正面上以及框架的外周上；一体化工序，对该聚酯系片进行加热，通过热压接使晶片与该框架借助该聚酯系片而一体化；分割工序，沿着该分割预定线对该晶片照射对于该晶片具有透过性的波长的激光束，在该晶片中形成盾构隧道，将该晶片分割成各个器件芯片；以及拾取工序，吹送空气而将器件芯片顶起，从该聚酯系片拾取各个该器件芯片。
晶片加工方法

[发明专利]晶片的加工方法-CN202010766118.0在审
发明人：原田成规;松泽稔;木内逸人;淀良彰;荒川太朗;上里昌充;河村慧美子;藤井祐介;宫井俊辉;大前卷子 -专利权人：株式会社迪思科
申请日： 2020-08-03 - 公布日： 2021-03-02 - 主分类号： H01L21/78 文献下载
摘要：提供晶片的加工方法，不降低品质而形成器件芯片。该晶片的加工方法将在由分割预定线划分的正面的各区域内形成有多个器件的晶片分割成各个器件芯片，其中，该晶片的加工方法具有如下的工序：聚酯系片配设工序，将晶片定位于具有对晶片进行收纳的开口的框架的该开口内，将聚酯系片配设在晶片的背面或正面上以及框架的外周上；一体化工序，对该聚酯系片进行加热，通过热压接使晶片与该框架借助该聚酯系片而一体化；分割工序，沿着该分割预定线对该晶片照射对于该晶片具有透过性的波长的激光束，在该晶片中形成盾构隧道，将该晶片分割成各个器件芯片；以及拾取工序，从该聚酯系片拾取各个该器件芯片。
晶片加工方法

[发明专利]晶片的加工方法-CN202010766592.3在审
发明人：原田成规;松泽稔;木内逸人;淀良彰;荒川太朗;上里昌充;河村慧美子;藤井祐介;宫井俊辉;大前卷子 -专利权人：株式会社迪思科
申请日： 2020-08-03 - 公布日： 2021-03-02 - 主分类号： H01L21/78 文献下载
摘要：提供晶片的加工方法，不降低品质而形成器件芯片。该晶片的加工方法将在由分割预定线划分的正面的各区域内形成有多个器件的晶片分割成各个器件芯片，其中，该晶片的加工方法具有如下的工序：聚烯烃系片配设工序，将晶片定位于具有对晶片进行收纳的开口的框架的该开口内，将聚烯烃系片配设在晶片的背面或正面上以及框架的外周上；一体化工序，对该聚烯烃系片进行加热，通过热压接使晶片与该框架借助该聚烯烃系片而一体化；分割工序，沿着该分割预定线对该晶片照射对于该晶片具有透过性的波长的激光束，在该晶片中形成盾构隧道，将该晶片分割成各个器件芯片；以及拾取工序，从该聚烯烃系片拾取各个该器件芯片。
晶片加工方法

[发明专利]晶片的加工方法-CN202010565062.2在审
发明人：原田成规;松泽稔;木内逸人;淀良彰;荒川太朗;上里昌充;河村慧美子;藤井祐介;宫井俊辉;大前卷子 -专利权人：株式会社迪思科
申请日： 2020-06-19 - 公布日： 2021-01-12 - 主分类号： H01L21/78 文献下载
摘要：提供晶片的加工方法，不降低品质而形成器件芯片。该晶片的加工方法将在由分割预定线划分的正面的各区域内形成有多个器件的晶片分割成各个器件芯片，其中，该晶片的加工方法具有如下的工序：聚酯系片配设工序，将晶片定位于具有对晶片进行收纳的开口的框架的该开口内，将聚酯系片配设在晶片的背面或正面上以及框架的外周上；一体化工序，对该聚酯系片进行加热，通过热压接使晶片与该框架借助该聚酯系片而一体化；分割工序，沿着该分割预定线对该晶片照射对于该晶片具有透过性的波长的激光束，在该晶片中形成改质层，将该晶片分割成各个器件芯片；以及拾取工序，对该聚酯系片赋予超声波，将器件芯片顶起，拾取该器件芯片。
晶片加工方法

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