[发明专利]半导体结构、发光装置及其制造方法在审
| 申请号： | 201810020628.6 | 申请日： | 2018-01-09 |
| 公开（公告）号： | CN109860157A | 公开（公告）日： | 2019-06-07 |
| 发明（设计）人： | 徐瑞美 | 申请（专利权）人： | 财团法人工业技术研究院 |
| 主分类号： | H01L25/04 | 分类号： | H01L25/04;H01L27/32;H01L51/56;H01L21/64 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 吕雁葭 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体结构、发光装置及其制造方法。发光装置包括一发光二极管及一导电膜。导电膜含有量子点并配置在发光二极管上。 | ||
| 搜索关键词： | 发光装置 半导体结构 发光二极管 导电膜 量子点 制造 配置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构的制造方法，包括：一组件黏着步骤，包括将一半导体组件黏着至一透光衬底的一第一表面上；一组件转移步骤，包括在该半导体组件完全以一空隙隔离一受体衬底的状况下，对该透光衬底进行一照光步骤，以在该透光衬底与该半导体组件的间产生一汽化反应，其中该汽化反应使得该半导体组件从该透光衬底推离，然后转移穿过该空隙而至该受体衬底上。
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