[发明专利]半导体结构、发光装置及其制造方法

说明书

本发明公开了一种半导体结构、发光装置及其制造方法。发光装置包括一发光二极管及一导电膜。导电膜含有量子点并配置在发光二极管上。

技术领域

本发明是有关于一种半导体结构及其制造方法，且特别是有关于一种发光装置及其制造方法。

背景技术

随着半导体技术的进步，许多组件的体积逐渐往小型化发展。举例来说，近几年来更陆续推出各种微显示器(Micro-display)技术。其中，由于发光二极管(Light-EmittingDiode，LED)制作尺寸上的突破，目前将发光二极管以数组排列制作的微发光二极管(micro-LED)显示器在市场上逐渐受到重视。微发光二极管显示器属于主动式发光组件显示器，其除了在对比度及能耗方面不逊于有机发光二极管(Organic Light-EmittingDiode，OLED)显示器外，在可靠性及寿命亦占据绝对优势。因此，微发光二极管显示器有极大潜力成为未来行动通信电子与物联网(Internet of Things，IoT)应用穿戴式电子的主流显示器技术。然而，目前微发光二极管巨量转移仍有需要克服改进的问题。

发明内容

本发明是有关于一种半导体结构及其制造方法。

根据本发明的一实施例，提出了一种半导体结构的制造方法。制造方法包括以下步骤。组件黏着步骤，包括将一半导体组件黏着至一透光衬底的一第一表面上。组件转移步骤，包括在半导体组件完全以一空隙隔离一受体衬底的状况下，对透光衬底的相对于第一表面的一第二表面进行一照光步骤，以在透光衬底与半导体组件之间产生一汽化反应。汽化反应使得半导体组件从透光衬底推离，然后转移穿过空隙而至受体衬底上。

根据本发明的另一实施例，提出了一种半导体结构的制造方法。制造方法包括以下步骤。一组件黏着步骤，其包括将一含量子点的黏着层黏着至一透光衬底的一第一表面上。含量子点的黏着层具有导电性质。一组件转移步骤，其包括对透光衬底的相对于第一表面的一第二表面进行一照光步骤，以在透光衬底与含量子点的黏着层之间产生一汽化反应。汽化反应使得含量子点的黏着层从透光衬底推离而转移至受体衬底上。

根据本发明的又一实施例，提出一种发光装置。发光装置包括一发光二极管及一导电膜。导电膜含有量子点，并配置在发光二极管上，其中导电膜是用作发光二极管的电极层。

附图说明

图1A至图1D示意性示出第一实施例的概念的半导体结构的制造方法。

图2A与图2B示意性示出第二实施例的概念的半导体结构的制造方法。

图3示意性示出根据第三实施例的概念的半导体结构的制造方法。

图4示意性示出根据第四实施例的概念的半导体结构的制造方法。

图5示意性示出根据第五实施例的概念的半导体结构的制造方法。

图6示意性示出根据第六实施例的概念的半导体结构的制造方法。

图7示意性示出根据第七实施例的概念的半导体结构的制造方法。

图8A与图8B示意性示出根据第八实施例的概念的半导体结构的制造方法。

图9A与图9B示意性示出第九实施例的概念的半导体结构的制造方法；

符号说明：

102：供体衬底

104、104A、104B：透光衬底

106、106A、106B：半导体组件

107：第一表面

108、208、308、408、508、608、708：可吸光汽化黏着层

109：第二表面