[发明专利]薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示装置有效
| 申请号： | 201810010296.3 | 申请日： | 2018-01-05 |
| 公开（公告）号： | CN108198864B | 公开（公告）日： | 2021-12-03 |
| 发明（设计）人： | 强朝辉;杜建华;关峰;李春昊 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L27/12;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 潘剑颖 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本公开提供了一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板以及显示装置。所述薄膜晶体管包括：衬底；沟道区；重掺杂的第一半导体图案，位于所述沟道区的两侧；第二半导体图案，设置在所述重掺杂的第一半导体图案上；栅极绝缘层，覆盖所述沟道区和所述第二半导体图案；栅极图案，设置在所述栅极绝缘层上，所述栅极图案在所述衬底上的正投影位于所述沟道区在所述衬底上的正投影的范围内；以及源极图案和漏极图案，分别通过第一过孔和第二过孔与所述重掺杂的第一半导体图案接触。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 及其 制作方法 阵列 显示装置 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管，包括：设置在衬底上的沟道区；重掺杂的第一半导体图案，位于所述沟道区的两侧；第二半导体图案，设置在所述重掺杂的第一半导体图案上；栅极绝缘层，覆盖所述沟道区和所述第二半导体图案；栅极图案，设置在所述栅极绝缘层上，所述栅极图案在所述衬底上的正投影位于所述沟道区在所述衬底上的正投影的范围内；以及源极图案和漏极图案，分别通过第一过孔和第二过孔与所述重掺杂的第一半导体图案接触。
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