[发明专利]自对准纳米线在审
| 申请号： | 201780094181.0 | 申请日： | 2017-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN111316444A | 公开（公告）日： | 2020-06-19 |
| 发明（设计）人： | M.阿姆斯特隆;B.古哈;姜俊成;B.E.比蒂;T.贾尼 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/8238;H01L21/02;H01L27/092 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 徐予红;姜冰 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种方法，包括：形成衬底；在所述衬底上方形成第一纳米线；在所述衬底上方形成第二纳米线；在所述第一和第二纳米线的一部分上方形成栅极；注入掺杂剂，使得在所述栅极下方的所述第一和第二纳米线之间的区域不接纳所述掺杂剂，而远离所述栅极的所述第一和第二纳米线之间的区域接纳所述掺杂剂，其中所述掺杂剂使远离所述栅极的所述第一和第二纳米线之间的所述区域的材料非晶化；以及各向同性地蚀刻远离所述栅极的所述第一和第二纳米线之间的区域。 | ||
| 搜索关键词： | 对准 纳米 | ||
【主权项】：
暂无信息
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