[发明专利]自对准纳米线

权利要求书

1.一种设备，包括：

衬底，所述衬底包括硅；

第一纳米线，所述第一纳米线在所述衬底上方，其中所述第一纳米线具有沿所述衬底的平面延伸的长度，其中所述第一纳米线的第一和第二侧分别在沿所述第一纳米线的长度的第一和第二边缘上；

第一间隔物对，所述第一间隔物对包括与所述第一纳米线的所述第一侧相邻的第一间隔物，以及与所述第一纳米线的所述第二侧相邻的第二间隔物；

第二纳米线，所述第二纳米线部署在所述衬底上方，其中所述第二纳米线具有沿所述衬底的平面延伸的长度，其中所述第二纳米线的第一和第二侧分别在沿所述第二纳米线的长度的第一和第二边缘上；以及

第二间隔物对，所述第二间隔物对包括与所述第二纳米线的所述第一侧相邻并且与所述衬底相邻的第一间隔物，以及与所述第二纳米线的所述第二侧相邻并且与所述衬底相邻的第二间隔物，

其中所述第一纳米线的所述第一间隔物的边缘直接在所述第二纳米线的所述第一间隔物的边缘上方对准，并且其中所述第一纳米线的所述第二间隔物的边缘直接在所述第二纳米线的所述第二间隔物的边缘上方对准。

2.根据权利要求1所述的设备，包括部署在所述第一和第二纳米线上方的栅极区域。

3.根据权利要求2所述的设备，包括第三间隔物对，所述第三间隔物对包括与所述栅极区域的第一侧相邻的第一间隔物，以及与所述栅极区域的第二侧相邻的第二间隔物，其中所述栅极区域的所述第一间隔物的边缘直接在所述第一和第二纳米线的所述第一间隔物的边缘上方对准，并且其中所述栅极区域的所述第二间隔物的边缘直接在所述第一和第二纳米线的所述第二间隔物的边缘上方对准。

4. 根据权利要求2所述的设备，包括：

与所述第三间隔物对的所述第一间隔物相邻的源极区域；以及

与所述第三间隔物对的所述第二间隔物相邻的漏极区域。

5.根据权利要求4所述的设备，其中直接在所述第二纳米线下方的所述衬底的晶体结构与靠近后端的所述衬底的晶体结构不同。

6.根据权利要求4所述的设备，其中直接在所述第二纳米线下方的所述衬底包括微量的Ge、Xe或Ar，并且其中靠近后端的所述衬底仅包括硅。

7.根据权利要求4所述的设备，包括与所述源极区域和所述衬底相邻的第一区域，并且其中所述第一区域直接与所述第一、第二和第三间隔物对的所述第一间隔物相邻。

8.根据权利要求7所述的设备，其中所述第一区域包括以下中的一个或多个：Si、Ge、C、In、Ga、As或N。

9.根据权利要求4所述的设备，包括与所述漏极区域和所述衬底相邻的第二区域，并且其中所述第二区域直接与所述第一、第二和第三间隔物对的所述第二间隔物相邻。

10.根据权利要求9所述的设备，其中所述第二区域包括以下中的一个或多个：Si、Ge、C、In、Ga、As或N。

11.根据权利要求1至10中任一项所述的设备，其中所述第一和第二纳米线包括以下中的一个或多个：Si、Ge、Ga、As、In、N或P。

12.根据权利要求1至11中任一项所述的设备，其中所述第一和第二纳米线由包括以下中的一个或多个的区域分离：Si、Ge、Gd、O、Hf、Si、Ta、Al或N。

13.一种系统，包括：

存储器；

处理器，所述处理器耦合到所述存储器，所述处理器包括根据权利要求1至12中任一项的装置；

无线接口，所述无线接口用来允许所述处理器与另一装置通信。