[发明专利]薄膜晶体管、薄膜晶体管基板、液晶显示装置以及薄膜晶体管基板的制造方法在审
| 申请号： | 201780083065.9 | 申请日： | 2017-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN110268529A | 公开（公告）日： | 2019-09-20 |
| 发明（设计）人： | 井上和式;平野梨伊 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;G02F1/1368;H01L21/28;H01L29/41;H01L29/417 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 李今子 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 其目的在于提供一种能够降低源电极以及漏电极与沟道区域之间的接触电阻的技术。薄膜晶体管具备：第1半导体层，配设于栅电极上的第1绝缘膜上，在俯视时与作为栅电极上的第1绝缘膜的一部分的部分区域邻接；源电极及漏电极，在俯视时隔着部分区域；第2绝缘膜，在部分区域上方设置有开口部；以及第2半导体层，配设于第2绝缘膜上。第2半导体层与源电极以及漏电极接触并且经由第2绝缘膜的开口部与部分区域以及第1半导体层接触。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘膜 半导体层 漏电极 源电极 薄膜晶体管基板 薄膜晶体管 开口部 栅电极 俯视 液晶显示装置 沟道区域 接触电阻 区域邻接 制造 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管，具备：栅电极，配设于基板上；第1绝缘膜，覆盖所述栅电极；第1半导体层，配设于所述栅电极上的所述第1绝缘膜上，在俯视时与作为所述栅电极上的所述第1绝缘膜的一部分的部分区域邻接；源电极及漏电极，至少一方配设于所述第1绝缘膜及所述第1半导体层上，在俯视时隔着所述部分区域；第2绝缘膜，除了所述源电极的一部分及所述漏电极的一部分以外配设于所述源电极及所述漏电极上，在所述部分区域上方设置有开口部；以及第2半导体层，配设于所述第2绝缘膜上，与所述源电极的所述一部分及所述漏电极的所述一部分接触，并且经由所述开口部与所述部分区域及所述第1半导体层接触。
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