[发明专利]半导体装置

摘要

一种半导体装置，其具有半导体衬底、设置在半导体衬底的前表面中的第一沟槽、设置在第一沟槽内部的阳极电极、以及设置在半导体衬底的背表面上的阴极电极。所述半导体衬底具有第一p型区域、第二p型区域和与第一p型区域和第二p型区域接触的主n型区域，并且与第一沟槽的侧表面中的阳极电极形成肖特基接触。半导体衬底满足下述关系，即，当在平面图中观察前表面时，第一沟槽的面积小于主n型区域与在第一沟槽的侧表面中的阳极电极相接触的肖特基界面的面积。

主权项

1.一种半导体装置，包括：半导体衬底；第一沟槽，所述第一沟槽被设置在所述半导体衬底的前表面中；阳极电极，所述阳极电极被设置在所述第一沟槽的内部；以及阴极电极，所述阴极电极被设置在所述半导体衬底的背表面上，其中：所述半导体衬底具有：第一p型区域，所述第一p型区域与在所述第一沟槽的底表面中的所述阳极电极相接触，第二p型区域，所述第二p型区域与在所述第一沟槽的侧表面中的所述阳极电极相接触，以及主n型区域，所述主n型区域：与所述第一p型区域和所述第二p型区域形成接触，与在所述第一沟槽的所述侧表面中的所述阳极电极形成肖特基接触，将所述第一p型区域与所述第二p型区域隔开，并且与所述阴极电极形成接触；以及所述半导体衬底被配置为满足下述关系：当在平面图中观察所述前表面时，所述第一沟槽的面积小于所述主n型区域与在所述第一沟槽的所述侧表面中的所述阳极电极形成接触的肖特基界面的面积。