[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于包括：

半导体衬底；

第一沟槽，所述第一沟槽被设置在所述半导体衬底的前表面中；

阳极电极，所述阳极电极被设置在所述第一沟槽的内部；以及

阴极电极，所述阴极电极被设置在所述半导体衬底的背表面上，其中：

所述半导体衬底具有：

第一p型区域，所述第一p型区域与在所述第一沟槽的底表面中的所述阳极电极相接触，

第二p型区域，所述第二p型区域与在所述第一沟槽的侧表面中的所述阳极电极相接触，以及

主n型区域，所述主n型区域：与所述第一p型区域和所述第二p型区域形成接触，与在所述第一沟槽的所述侧表面中的所述阳极电极形成肖特基接触，将所述第一p型区域与所述第二p型区域隔开，并且与所述阴极电极形成接触；以及

所述半导体衬底被配置为满足下述关系：当在平面图中观察所述前表面时，所述第一沟槽的面积小于所述主n型区域与在所述第一沟槽的所述侧表面中的所述阳极电极形成接触的肖特基界面的面积。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述第一沟槽在所述前表面上以条带形状延伸，并且

所述半导体装置被配置成满足下述关系：所述前表面上的所述第一沟槽的宽度小于沿着所述第一沟槽的深度方向测量出的所述肖特基界面的宽度的总值。

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于还包括：

前电极，所述前电极被设置为覆盖所述半导体衬底的所述前表面并且与所述阳极电极形成接触。

4.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于还包括：

前电极，所述前电极被设置为覆盖所述半导体衬底的所述前表面并且与所述阳极电极形成接触，

其特征在于，

所述半导体衬底还具有与所述前电极形成接触的第三p型区域。

5.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，

所述第一p型区域和所述第二p型区域中的每一个p型区域在与所述第一沟槽交叉的方向上被形成为条带形状。

6.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于还包括：

前电极，所述前电极被设置为覆盖所述半导体衬底的所述前表面并且与所述阳极电极形成接触；

第二沟槽，所述第二沟槽被设置在所述前表面中；

栅极绝缘层，所述栅极绝缘层被设置为覆盖所述第二沟槽的内表面；以及

栅极电极，所述栅极电极被布置在所述第二沟槽的内部并且通过所述栅极绝缘层而与所述半导体衬底绝缘，

其特征在于，

所述半导体衬底还具有：

n型源极区域，所述n型源极区域与所述栅极绝缘层以及与所述前电极形成接触，以及

p型主体区域，所述p型主体区域与所述栅极绝缘层以及与所述前电极形成接触，并且所述p型主体区域将所述主n型区域与所述源极区域隔开；以及

所述主n型区域在所述第一沟槽和所述第二沟槽之间的范围内不与所述前电极形成接触。

7.根据权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，

所述主n型区域与在所述第二沟槽的底表面中的所述栅极绝缘层形成接触。