[发明专利]抗辐射高速光电二极管器件

摘要

CMOS兼容的光电二极管器件，包括：半导体材料的衬底(1)，其具有主表面(10)，以及多个第一导电类型的掺杂阱(3)，多个掺杂阱(3)构成用于图像检测的像素阵列中的一个像素。掺杂阱(3)在主表面(10)上间隔开。器件还包括保护环(7)，其包括第二导电类型的掺杂区域，第二导电类型与第一导电类型相反。保护环境围绕主表面(10)的包括多个掺杂阱(3)的区域，而不分割该区域。导体轨道(4)与掺杂阱(3)电连接，掺杂阱(3)由此被互连，并且导电轨道(5)与第二导电类型的区域电连接。主表面(10)上存在第二导电类型的掺杂表面区域(2)，其覆盖所述保护环(7)和所述掺杂阱(3)之间的整个区域。像素的光电二极管抗辐射、高速并且低电容。

主权项

1.一种光电二极管器件，包括:‑半导体材料的衬底(1)，其具有主表面(10)，‑多个第一导电类型的掺杂阱(3)，其在所述主表面(10)上间隔开，‑保护环(7)，其包括第二导电类型的掺杂区域(17)，第二导电类型与第一导电类型相反，‑导体轨道(4)，其与所述掺杂阱(3)电连接，以及‑与第二导电类型的区域电连接的另外的导体轨道(5)，其特征在于‑所述导体轨道(4)将所述掺杂阱(3)互连，‑所述掺杂阱(3)内的主表面(10)处布置有接触区域(13)，‑接触插头(14)将所述导体轨道(4)与所述接触区域(13)连接，‑掺杂表面区域(2)上布置有另外的接触插头(15)，所述另外的接触插头(15)与所述另外的导体轨道(5)连接，‑所述保护环(7)围绕所述主表面(10)的包括多个掺杂阱(3)的区域，而不分割该区域，并且‑主表面(10)处存在第二导电类型的掺杂表面区域(2)，其覆盖所述保护环(7)和所述掺杂阱(3)之间的整个区域。