[发明专利]用于钴的化学气相沉积的卤炔基六羰基二钴前驱物

摘要

本发明涉及桥联不对称卤炔基六羰基二钴前驱物及其超高纯度形式、制造方法以及在气相沉积方法中使用这些桥联不对称卤炔基六羰基二钴前驱物的方法。本发明的一个方面涉及式Co2(CO)6(R3C≡CR4)的超高纯度桥联不对称卤炔基六羰基二钴前驱物，其中R3和R4为不同的有机部分并且R4比R3更具负电性或更具吸电子性。

主权项

1.一种用于钴膜的气相沉积方法的前驱物或前驱物组合物，所述前驱物或前驱物组合物包含：式Co₂(CO)₆(R³C≡CR⁴)的桥联不对称卤炔基六羰基二钴前驱物，其中R³和R⁴为不同的有机部分且R⁴相对于R³为吸电子有机部分。