[发明专利]用于钴的化学气相沉积的卤炔基六羰基二钴前驱物

权利要求书

1.一种用于钴膜的气相沉积方法的前驱物组合物，所述前驱物组合物包含：

式Co₂(CO)₆(R³C≡CR⁴)的桥联不对称卤炔基六羰基二钴前驱物，其中R³选自由H、环状烷基部分和芳基部分组成的群组且R³不含卤素，且R⁴为卤烷基或卤芳基部分。

2.根据权利要求1所述的前驱物组合物，其中R³为H。

3.根据权利要求1所述的前驱物组合物，其中R³为H且R⁴为-CF₃。

4.根据权利要求1所述的前驱物组合物，其中R⁴为氟烷基或氟芳基部分。

5.根据权利要求1所述的前驱物组合物，其中R⁴选自由-CF₃、-C₂F₅和-C₆F₅组成的群组。

6.根据权利要求1所述的前驱物组合物，其还包含溶剂以形成所述桥联不对称卤炔基六羰基二钴前驱物的溶剂溶液，所述溶剂溶液包含0.05M至0.5M范围内的桥联不对称卤炔基六羰基二钴前驱物。

7.根据权利要求6所述的前驱物组合物，其中所述溶剂包含烃溶剂。

8.一种钴膜沉积方法，其包含：

使包含式Co₂(CO)₆(R³C≡CR⁴)的桥联不对称卤炔基六羰基二钴前驱物的前驱物组合物挥发，其中R³选自由H、环状烷基部分和芳基部分组成的群组且R³不含卤素，且R⁴为卤烷基或卤芳基部分；和

使所述前驱物蒸气在腔室中沉积于衬底上。