[发明专利]检测和分析来自半导体腔室部件的纳米颗粒的方法和设备有效
| 申请号： | 201780068574.4 | 申请日： | 2017-11-07 |
| 公开（公告）号： | CN109923653B | 公开（公告）日： | 2023-07-18 |
| 发明（设计）人： | 普莉娜·古拉迪雅;阿维舍克·古什;罗伯特·简·维瑟 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L21/67;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国;赵静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 用于鉴定半导体清洁溶液中的污染物的方法及设备，包括：使半导体清洁溶液接触半导体制造部件以形成含有一种或多种不溶性待测分析物的排出液；使该含有一种或多种不溶性待测分析物的排出液接触一光学设备，该光学设备经构造以感测来自该一种或多种待测分析物的荧光及可选的拉曼信号，其中该设备包括电子倍增电荷耦合器件及光栅光谱仪，以用来对该荧光进行光谱色散并将该荧光投射在该电子倍增电荷耦合器件上；及鉴定该一种或多种待测分析物。 | ||
| 搜索关键词： | 检测 分析 来自 半导体 部件 纳米 颗粒 方法 设备 | ||
【主权项】：
1.一种鉴定一半导体清洁溶液中的污染物的方法，包括以下步骤：使一半导体清洁溶液接触一半导体制造部件以形成一含有一个或多个不溶性待测分析物的排出液；使含有一个或多个不溶性待测分析物的该排出液接触一光学设备，该光学设备经构造以感测来自该一个或多个不溶性待测分析物的荧光及可选的拉曼信号，其中该光学设备包括一电子倍增电荷耦合器件及一光栅光谱仪，以对该荧光进行光谱色散并将该荧光投射在该电子倍增电荷耦合器件上；及鉴定该一个或多个待测分析物。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
