[发明专利]氧化硅氮化硅叠层离子辅助蚀刻在审
| 申请号： | 201780063863.5 | 申请日： | 2017-10-09 |
| 公开（公告）号： | CN109983563A | 公开（公告）日： | 2019-07-05 |
| 发明（设计）人： | 谭忠魁;向华;胡文兵;徐晴;傅乾 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01L21/311;H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人： | 李献忠;张华 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 提供了一种用于在蚀刻室中离子辅助蚀刻交替的氧化硅层和氮化硅层的叠层的方法。使包含氟组分、氦和氟代烃或烃的蚀刻气体流入所述蚀刻室。在所述蚀刻室中使所述气体形成为原位等离子体。提供约10伏至约100伏的偏压以将氦离子加速到所述叠层并活化所述叠层的表面以形成活化表面，以进行离子辅助蚀刻，其中所述原位等离子体蚀刻所述叠层的所述活化表面。 | ||
| 搜索关键词： | 叠层 蚀刻 离子辅助 蚀刻室 原位等离子体 活化表面 氮化硅层 气体形成 蚀刻气体 氧化硅层 氮化硅 氟代烃 氦离子 交替的 氧化硅 活化 | ||
【主权项】：
1.一种用于在蚀刻室中离子辅助蚀刻交替的氧化硅层和氮化硅层的叠层的方法，其包括：使包含氟组分、氦和氟代烃或烃的蚀刻气体流入所述蚀刻室；在所述蚀刻室中使所述蚀刻气体形成为原位等离子体；以及提供约10伏至约100伏的偏压以将氦离子加速到所述叠层并活化所述叠层的表面以形成活化表面，以进行离子辅助蚀刻，其中所述原位等离子体蚀刻所述叠层的所述活化表面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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