[发明专利]半导体晶圆化学机械研磨工序的研磨动作分析方法及其装置有效
| 申请号： | 201780062424.2 | 申请日： | 2017-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN109844656B | 公开（公告）日： | 2022-05-13 |
| 发明（设计）人： | 韩奉锡 | 申请（专利权）人： | 韩奉锡 |
| 主分类号： | G05B13/04 | 分类号： | G05B13/04;H01L21/306;H01L21/67;H01L21/304;B24B49/00 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 吕琳;宋东颖 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供研磨动作分析方法及其装置。其中，该方法用于借助至少一个处理器来工作的研磨动作分析装置，上述研磨动作分析方法包括：设置与各个构成研磨装置的垫、头部、晶圆、调节器有关的结构形态变量、工作变量及分析变量的步骤；基于上述结构形态变量、上述工作变量及上述分析变量来生成分析节点的步骤；利用上述分析节点来计算选自上述垫、上述晶圆及上述调节器的两个结构要素之间的摩擦距离及累积移动向量的步骤；以及输出计算结果的步骤。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 化学 机械 研磨 工序 动作 分析 方法 及其 装置 | ||
【主权项】：
1.一种研磨动作分析方法，用于借助至少一个处理器来工作的研磨动作分析装置，其特征在于，包括：设置与选自构成研磨装置的垫及晶圆中的至少一种结构要素有关的结构形态变量、工作变量及分析变量的步骤；基于上述结构形态变量、工作变量及分析变量来生成分析节点的步骤；利用上述分析节点计算基于上述垫的晶圆表面的摩擦距离或基于上述晶圆的垫表面的摩擦距离的步骤；以及输出计算结果的步骤。
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