[发明专利]适用于三维半导体元件外延生长的成核结构

摘要

本发明涉及一种适用于三维半导体元件(31)的外延生长的成核结构(10)，所述成核结构(10)包含：衬底(11)，其包含形成生长表面(13)的单晶材料；多个中间部分(14)，其由从所述生长表面(13)外延生长的中间晶体材料制成并限定中间部分上表面(15)；多个成核部分(16)，其由包含形成晶体成核材料的过渡金属的材料制成，每个成核部分从中间部分上表面(15)外延并限定适用于三维半导体元件的外延生长的成核表面(17)。

主权项

1.一种适用于三维半导体元件(31)的外延生长的成核结构(10)，其包含衬底(11)，所述衬底(11)包含形成生长表面(13)的单晶材料，在所述生长表面(13)上有由包含过渡金属的材料制成的多个成核部分(16)，其特征在于：‑所述成核结构(10)还包含多个中间部分(14)，每个中间部分(14)由从所述生长表面(13)外延的中间晶体材料制成，因此中间晶体材料的晶格的晶体取向在中间晶体材料的平面中的至少一个方向上和与所述材料的平面正交的至少一个方向上与所述衬底(11)的晶体材料的晶格的晶体取向对齐，并且中间部分(14)限定在所述生长表面(13)的相对侧的中间部分上表面(15)；‑每个成核部分(16)由包含从所述中间部分上表面(15)外延形成成核晶体材料的过渡金属的材料制成，因此成核晶体材料的晶格的晶体取向在成核晶体材料的平面中的至少一个方向上和与所述材料的平面正交的至少一个方向上与所述中间材料的晶格的晶体取向对齐，并且成核部分(16)限定在所述中间部分上表面(15)的相对侧并且适用于所述三维半导体元件(31)的外延生长的成核表面(17)。