[发明专利]宽带隙半导体基板的缺陷检查装置有效

专利信息
申请号: 201780044105.9 申请日: 2017-05-08
公开(公告)号: CN109478523B 公开(公告)日: 2022-12-16
发明(设计)人: 村田浩之 申请(专利权)人: 东丽工程株式会社
主分类号: H01L21/66 分类号: H01L21/66;G01N21/88
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 乔婉;于靖帅
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 提供缺陷检查装置,能够使检查对象的拍摄范围可变,并且虽然采用了简单的装置结构,但能够迅速且可靠地进行缺陷的检查,还能够防止缺陷的扩展。具体而言,该缺陷检查装置对产生于宽带隙半导体基板的缺陷进行检查,该缺陷检查装置具有激发光照射部和荧光拍摄部,在荧光拍摄部中具有多个观察倍率不同的物镜,并且具有对该多个物镜中的任意一个进行选择切换的拍摄倍率切换部,在激发光照射部中具有对激发光的照射范围和能量密度进行变更的照射倍率变更部,该缺陷检查装置具有控制部,该控制部根据在拍摄倍率切换部中所选择的物镜的观察倍率,对照射倍率变更部中的激发光的照射范围和能量密度进行变更。
搜索关键词: 宽带 半导体 缺陷 检查 装置
【主权项】:
1.一种缺陷检查装置,其对产生于宽带隙半导体基板的缺陷进行检查,其特征在于,该缺陷检查装置具有:激发光照射部,其朝向所述宽带隙半导体基板照射激发光;以及荧光拍摄部,其对因所述激发光照射到所述宽带隙半导体基板而发出的光致发光进行拍摄,在所述荧光拍摄部中具有多个观察倍率不同的物镜,并且具有对该多个物镜中的任意一个进行选择切换的拍摄倍率切换部,在所述激发光照射部中具有对所述激发光的照射范围和能量密度进行变更的照射倍率变更部,该缺陷检查装置具有控制部,该控制部根据在所述拍摄倍率切换部中所选择的物镜的观察倍率,对所述照明倍率变更部中的所述激发光的照射范围和能量密度进行变更。
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