[发明专利]用于由微波固化调整聚合物的热膨胀系数(CTE)的方法有效
| 申请号： | 201780038110.9 | 申请日： | 2017-06-06 |
| 公开（公告）号： | CN109314060B | 公开（公告）日： | 2023-08-25 |
| 发明（设计）人： | 欧岳生;王瑞;塔克·丰·孔;王欣 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/324 | 分类号： | H01L21/324;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国;赵静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本文提供固化聚酰亚胺以调整热膨胀系数的方法。一些实施方式中，于基板上固化聚合物层的方法包括：(a)施加可变频率的微波能量至该基板，以将该聚合物层及该基板加热至第一温度；和(b)调整该可变频率的微波能量，以将该聚合物层及该基板的温度增加至第二温度，用以固化该聚合物层。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 微波 固化 调整 聚合物 热膨胀 系数 cte 方法 | ||
【主权项】：
1.一种于基板上固化聚合物层的方法，包括下述步骤：(a)施加可变频率的微波能量至所述基板，以将所述聚合物层及所述基板加热至第一温度；和(b)调整所述可变频率的微波能量，以将所述聚合物层及所述基板的温度增加至第二温度，用以固化所述聚合物层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
