[发明专利]用于由微波固化调整聚合物的热膨胀系数(CTE)的方法有效
申请号: | 201780038110.9 | 申请日: | 2017-06-06 |
公开(公告)号: | CN109314060B | 公开(公告)日: | 2023-08-25 |
发明(设计)人: | 欧岳生;王瑞;塔克·丰·孔;王欣 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L21/324 | 分类号: | H01L21/324;H01L21/02 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国;赵静 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 微波 固化 调整 聚合物 热膨胀 系数 cte 方法 | ||
1.一种于基板上固化聚合物层的方法,包括下述步骤:
(a)施加可变频率的微波能量至所述基板,以将所述聚合物层及所述基板加热至第一温度,其中所述聚合物层维持在所述第一温度达第一时段之久,所述第一时段为10分钟至60分钟;和
(b)调整所述可变频率的微波能量,以将所述聚合物层及所述基板的温度增加至第二温度,用以固化所述聚合物层。
2.如权利要求1所述的方法,其中所述聚合物层是聚酰亚胺。
3.如权利要求1所述的方法,其中所述第一温度是170摄氏度至200摄氏度。
4.如权利要求3所述的方法,其中以第一速率将所述聚合物层与所述基板从25摄氏度加热至所述第一温度,所述第一速率为每秒0.01摄氏度至4摄氏度。
5.如权利要求1至4任一项所述的方法,其中提供微波频率范围在从5.85GHz至6.65GHz的所述可变频率的微波能量。
6.如权利要求5所述的方法,其中以每频次0.25微秒的扫描速度提供所述可变频率的微波能量。
7.如权利要求1至4任一项所述的方法,其中所述第二温度为300摄氏度至400摄氏度。
8.如权利要求7所述的方法,其中以第二速率将所述聚合物层与所述基板从所述第一温度加热至所述第二温度,所述第二速率为每秒0.01摄氏度至4摄氏度。
9.如权利要求1至4任一项所述的方法,其中所述聚合物层维持在所述第二温度达第二时段之久,所述第二时段为5分钟至60分钟。
10.如权利要求1至4任一项所述的方法,进一步包括下述步骤:调整所述可变频率的微波能量,以将所述聚合物层与所述基板的温度减少到低于所述第二温度的第三温度。
11.如权利要求10所述的方法,其中所述第三温度为250摄氏度至350摄氏度。
12.如权利要求10所述的方法,其中以第三速率将所述聚合物层与所述基板的温度从所述第二温度减少至所述第三温度,所述第三速率为每秒0.01摄氏度至4摄氏度。
13.如权利要求10所述的方法,其中所述聚合物层维持在所述第三温度达第三时段之久,所述第三时段为30分钟。
14.如权利要求1至4任一项所述的方法,其中在微波处理腔室内于真空下执行(a)-(b)。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造