[发明专利]半导体装置

摘要

积累层通过积累载流子从而具有降低作为IGBT导通时的集电极‑发射极间电压的导通电压(Von)的功能。但是，在IGBT的关断时，该载流子有助于关断损耗(Eoff)。提供一种半导体装置，其包括具备沿预先确定的方向延伸的多个沟槽部、分别设置在多个沟槽部中的相邻的两个沟槽部之间的台面部和漂移层的半导体基板，多个沟槽部包括栅极沟槽部和虚设沟槽部，台面部具有发射极区、接触区和设置在比发射极区和接触区更靠下方的积累层，在与栅极沟槽部相邻的台面部中在深度方向上设置的积累层的数量比在两个虚设沟槽部之间的台面部中在深度方向上设置的积累层的数量多。

主权项

1.一种半导体装置，其特征在于，所述半导体装置具有包括晶体管区的半导体基板，所述半导体基板在所述晶体管区中具备：多个沟槽部，沿预先确定的方向延伸；台面部，分别设置在所述多个沟槽部中的相邻的两个沟槽部之间；以及第一导电型的漂移层，设置在所述台面部的下方，所述多个沟槽部包括：栅极沟槽部，具有栅极导电部，并且栅极电位被提供到所述栅极导电部；以及虚设沟槽部，具有虚设沟槽导电部，并且发射极电位被提供到所述虚设沟槽导电部，所述台面部具有：第一导电型的发射极区，其掺杂浓度比所述漂移层高，且所述发射极区的至少一部分位于所述半导体基板的上表面；第二导电型的接触区，其至少一部分位于所述半导体基板的上表面；以及积累层，其设置在比所述发射极区和所述接触区更靠下方的位置，且具有比所述漂移层的第一导电型的掺杂浓度高的第一导电型的掺杂浓度，在与所述栅极沟槽部相邻的所述台面部中沿从所述半导体基板的所述上表面向下表面的深度方向设置的所述积累层的数量比在两个所述虚设沟槽部之间的所述台面部中沿所述深度方向设置的所述积累层的数量多。