[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，所述半导体装置具有包括晶体管区的半导体基板，

所述半导体基板在所述晶体管区中具备：

多个沟槽部，沿预先确定的方向延伸；

台面部，分别设置在所述多个沟槽部中的相邻的两个沟槽部之间；以及

第一导电型的漂移层，设置在所述台面部的下方，

所述多个沟槽部包括：

栅极沟槽部，具有栅极导电部，并且栅极电位被提供到所述栅极导电部；以及

虚设沟槽部，具有虚设沟槽导电部，并且发射极电位被提供到所述虚设沟槽导电部，

所述台面部具有：

第一导电型的发射极区，其掺杂浓度比所述漂移层高，且所述发射极区的至少一部分位于所述半导体基板的上表面；

第二导电型的接触区，其至少一部分位于所述半导体基板的上表面；以及

积累层，其设置在比所述发射极区和所述接触区更靠下方的位置，且具有比所述漂移层的第一导电型的掺杂浓度高的第一导电型的掺杂浓度，

在与所述栅极沟槽部相邻的所述台面部中沿从所述半导体基板的所述上表面向下表面的深度方向设置的所述积累层的数量比在两个所述虚设沟槽部之间的所述台面部中沿所述深度方向设置的所述积累层的数量多。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

在两个所述虚设沟槽部之间的所述台面部不设置所述积累层。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

在两个所述虚设沟槽部之间的所述台面部设置一个所述积累层。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述发射极区与所述接触区在所述预先确定的方向上交替地设置，

与所述栅极沟槽部相邻的所述台面部具有多个积累层，

所述多个积累层中的至少一个积累层设置在所述发射极区的至少一部分的下方，但不设置在所述接触区的一部分区域的下方。

5.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，

所述至少一个积累层不设置在多个所述接触区中的每一个接触区的一部分区域的下方。

6.根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，

所述至少一个积累层是岛状积累层，所述岛状积累层包括在与所述深度方向垂直的平面内分别离散地设置的多个积累区，所述多个积累区具有比所述漂移层的第一导电型的掺杂浓度高的第一导电型的掺杂浓度，

所述多个积累区中的每一个积累区以设置在所述发射极区的至少一部分的下方，但不设置在所述接触区的一部分区域的下方的方式分开，

除了在所述深度方向上最接近所述上表面的积累层以外的全部的积累层是所述岛状积累层。

7.根据权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，

所述台面部还具有基区，所述基区具有比所述接触区低的第二导电型的掺杂浓度，

所述发射极区具有在所述半导体基板的内部，不与所述接触区直接接触且与所述基区直接接触的底部区域，

所述多个积累区中的每一个积累区在所述预先确定的方向上的长度比所述底部区域在所述预先确定的方向上的长度长。

8.根据权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，

所述台面部还具有基区，所述基区具有比所述接触区低的第二导电型的掺杂浓度，

所述发射极区具有在所述半导体基板的内部，不与所述接触区直接接触且与所述基区直接接触的底部区域，

所述多个积累区中的每一个积累区在所述预先确定的方向上的长度比所述底部区域在所述预先确定的方向上的长度短。