[发明专利]处理被处理体的方法

摘要

本发明提供一种实施方式的方法(MT)，在处理对象的晶片(W)的被处理层(J1)的蚀刻前，在将被处理层(J1)的主面(J11)划分为多个区域(ER)的基础上，通过步骤(SB2)按多个区域(ER)的每一区域计算出被处理层(J1)上所设置的掩模(J2)的槽宽度与该槽宽度的基准值的差值，在步骤(SB6)中，利用表示被处理层(J1)的温度与形成的膜的膜厚的对应的对应数据(DT)调节被处理层(J1)的温度，以使其成为与多个区域(ER)的每一区域对应的膜厚的膜的形成所需要的温度，利用与(ALD)法同样的膜形成处理在掩模(J2)按每一原子层形成膜，将与差值对应的膜厚的膜(J3)形成与掩模(J2)，按多个区域(ER)的每一区域将槽宽度修正为基准值。

主权项

1.一种处理被处理体的方法，该被处理体包括被处理层和设置在该被处理层的主面的掩模，所述方法的特征在于，包括：调节所述掩模的图案的槽宽度的第一步骤；和在执行所述第一步骤之后，利用所述掩模蚀刻所述被处理层的第二步骤，所述主面在该方法中被划分为多个区域，所述第一步骤包括：按在该方法中所划分的多个区域的每一区域测定所述槽宽度的值的第三步骤；第四步骤，在执行所述第三步骤之后，按所述多个区域的每一区域计算从通过该第三步骤测定得到的所述槽宽度的值减去该槽宽度的基准值而得到的正的差值；第五步骤，在执行所述第四步骤之后，在被送入到等离子体处理装置的处理容器内的所述被处理体的所述掩模的表面，形成通过该第四步骤计算出的所述多个区域的每一区域的所述差值的膜厚的膜，所述第五步骤包括第十步骤和第十一步骤，其中，所述第十步骤，在膜形成处理中，利用预先取得的对应数据和与在所述第四步骤中按所述多个区域的每一区域计算出的所述差值对应的膜厚，按该多个区域的每一区域调节被送入到所述处理容器内的所述被处理体的该被处理层的温度，其中，所述膜形成处理反复执行包括以下步骤的流程：向所述处理容器内供给第一气体的第六步骤；在执行所述第六步骤之后，对所述处理容器内进行吹扫的第七步骤；在执行所述第七步骤之后，在所述处理容器内生成第二气体的等离子体的第八步骤；和在执行所述第八步骤之后，对所述处理容器内进行吹扫的第九步骤，所述对应数据表示所述被处理层的温度与沉积在该被处理层上的所述掩模的所述表面的膜的膜厚的对应，所述第十一步骤，在执行所述第十步骤之后，执行所述膜形成处理，在所述被处理层上的所述掩模的所述表面形成膜，所述第六步骤所需要的处理时间为，在所述第六步骤中沉积在所述被处理层上的所述掩模的所述表面的膜的膜厚成为根据该被处理层的温度的高低而增减的状态的时间以内，所述第一气体包含氨基硅烷类气体，所述第二气体包含含有氧原子和碳原子的气体。