[发明专利]处理被处理体的方法

权利要求书

1.一种处理被处理体的方法，该被处理体包括被处理层和设置在该被处理层的主面的掩模，所述方法的特征在于，包括：

调节所述掩模的图案的槽宽度的第一步骤；和

在执行所述第一步骤之后，利用所述掩模蚀刻所述被处理层的第二步骤，

所述主面在该方法中被划分为多个区域，

所述第一步骤包括：

按在该方法中所划分的多个区域的每一区域测定所述槽宽度的值的第三步骤；

第四步骤，在执行所述第三步骤之后，按所述多个区域的每一区域计算从通过该第三步骤测定得到的所述槽宽度的值减去该槽宽度的基准值而得到的正的差值；

第五步骤，在执行所述第四步骤之后，在被送入到等离子体处理装置的处理容器内的所述被处理体的所述掩模的表面，形成通过该第四步骤计算出的所述多个区域的每一区域的所述差值的膜厚的膜，

所述第五步骤包括第十步骤和第十一步骤，其中，

所述第十步骤，在膜形成处理中，利用预先取得的对应数据和与在所述第四步骤中按所述多个区域的每一区域计算出的所述差值对应的膜厚，按该多个区域的每一区域调节被送入到所述处理容器内的所述被处理体的该被处理层的温度，其中，

所述膜形成处理反复执行包括以下步骤的流程：

向所述处理容器内供给第一气体的第六步骤；

在执行所述第六步骤之后，对所述处理容器内进行吹扫的第七步骤；

在执行所述第七步骤之后，在所述处理容器内生成第二气体的等离子体的第八步骤；和

在执行所述第八步骤之后，对所述处理容器内进行吹扫的第九步骤，

所述对应数据表示所述被处理层的温度与沉积在该被处理层上的所述掩模的所述表面的膜的膜厚的对应，

所述第十一步骤，在执行所述第十步骤之后，执行所述膜形成处理，在所述被处理层上的所述掩模的所述表面形成膜，

所述第六步骤所需要的处理时间为，在所述第六步骤中沉积在所述被处理层上的所述掩模的所述表面的膜的膜厚成为根据该被处理层的温度的高低而增减的状态的时间以内，

所述第一气体包含氨基硅烷类气体，

所述第二气体包含含有氧原子和碳原子的气体。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于：

所述第十步骤按该多个区域的每一区域基于所述对应数据调节该被处理层的温度，以使得被送入到所述处理容器内的所述被处理体的所述被处理层中的所述多个区域的每一区域的温度，成为与在所述第四步骤中按该多个区域的每一区域计算出的所述差值的膜厚对应的温度。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于：

所述第五步骤包括不依赖于所述多个区域地对所述掩模的所述表面保形地形成膜的第十二步骤，

所述第十步骤按该多个区域的每一区域基于所述对应数据调节该被处理层的温度，以使得被送入到所述处理容器内的所述被处理体的所述被处理层中的所述多个区域的每一区域的温度，成为与从在所述第四步骤中按该多个区域的每一区域计算出的所述差值的膜厚减去在所述第十二步骤中保形地形成的膜的膜厚而得到的值对应的温度，

所述第十二步骤在所述第十步骤之前或者所述膜形成处理之后进行。

4.如权利要求1～3中任一项所述的方法，其特征在于：

所述第一步骤在执行所述第五步骤之后再次执行所述第三步骤和所述第四步骤，在通过该再次执行在该第四步骤计算出的差值没有满足预先设定的基准范围的情况下，再次执行所述第五步骤。

5.如权利要求1～4中任一项所述的方法，其特征在于：

所述第一气体包含单氨基硅烷。

6.如权利要求1～4中任一项所述的方法，其特征在于：

所述第一气体的氨基硅烷类气体包含含有1～3个硅原子的氨基硅烷。

7.如权利要求1～4、6中任一项所述的方法，其特征在于：

所述第一气体的氨基硅烷类气体包含含有1～3个氨基的氨基硅烷。