[发明专利]用于改良的半导体蚀刻及部件保护的系统与方法

摘要

半导体系统及方法可包括具有气箱的半导体处理腔室，此气箱限定了至此半导体处理腔室的入口。此腔室可包括间隔件，该间隔件由与气箱耦接的第一表面表征，及此间隔件可限定在第一表面的内部部分上的凹进壁架。此腔室可包括安装在凹进壁架上的支架，该凹进壁架沿间隔件的第二表面延伸。腔室还可包括气体分配板，该气体分配板安装在支架上。

主权项

1.一种半导体处理系统，包含：远程等离子体源；输送管，与所述远程等离子体源耦接；半导体处理腔室，其中所述半导体处理腔室包含：气箱，限定了至所述半导体处理腔室的入口，其中所述入口位于所述气箱内的中心位置，且其中所述输送管在所述入口处与所述气箱耦接，间隔件，所述间隔件由与所述气箱耦接的第一表面表征，其中所述间隔件限定了在所述第一表面的内部部分上的凹进壁架，支架，安装在所述凹进壁架上并沿所述间隔件的第二表面延伸，其中所述气箱的一部分至少部分地平行于所述间隔件的所述第二表面延伸，且其中所述支架至少部分地定位在所述间隔件的所述第二表面与所述气箱的至少部分地平行于所述间隔件的所述第二表面延伸的所述部分之间，以及气体分配板，安装在所述支架上。