[发明专利]石英玻璃坩埚及其制造方法以及使用了石英玻璃坩埚的单晶硅的制造方法在审
| 申请号： | 201780030444.1 | 申请日： | 2017-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN109477239A | 公开（公告）日： | 2019-03-15 |
| 发明（设计）人： | 岸弘史;长谷部幸太;安部贵裕;藤原秀树 | 申请（专利权）人： | 胜高股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;C03B20/00;C30B15/10 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 郭煜;杨戬 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种能够经受多次提拉等极长时间的单晶提拉工序的石英玻璃坩埚及其制造方法。石英玻璃坩埚(1)具备：有底圆筒状坩埚主体(10)，由石英玻璃制成；以及第1含有结晶化促进剂的涂膜(13A)，通过基于切克劳斯基法进行的单晶硅的提拉工序中的加热，以在坩埚主体(10)的内表面(10a)的表层部形成由圆顶状或柱状晶粒的集合制成的内侧结晶层的方式形成于所述内表面(10a)。 | ||
| 搜索关键词： | 石英玻璃坩埚 提拉 单晶硅 内表面 制造 结晶化促进剂 切克劳斯基法 圆筒状坩埚 石英玻璃 柱状晶粒 坩埚主体 结晶层 圆顶状 单晶 等极 涂膜 加热 集合 | ||
【主权项】：
1.一种石英玻璃坩埚，其为在基于切克劳斯基法进行的单晶硅的提拉中使用的石英玻璃坩埚，该石英玻璃坩埚的特征在于，具备：有底圆筒状的坩埚主体，由石英玻璃制成；以及第1含有结晶化促进剂的涂膜，通过所述单晶硅的提拉工序中的加热，以在所述坩埚主体的内表面的表层部形成由圆顶状或柱状晶粒的集合制成的内侧结晶层的方式形成于所述内表面。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于胜高股份有限公司，未经胜高股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201780030444.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
