[发明专利]具有强化的RF功率传输的陶瓷加热器有效
| 申请号： | 201780022341.0 | 申请日： | 2017-02-20 |
| 公开（公告）号： | CN108885973B | 公开（公告）日： | 2023-09-08 |
| 发明（设计）人： | 林兴;周建华;刘宁利;J·C·罗查-阿尔瓦雷斯 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/205;H05H1/46;H01J37/32;H01L21/67;H01L21/324 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 汪骏飞;侯颖媖 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开的实施例大体上涉及半导体处理腔室中的基板支撑组件。半导体处理腔室可以是PECVD腔室，所述PECVD腔室包含具有基板支撑件和耦合至所述基板支撑件的心轴的基板支撑组件。RF电极被嵌入至所述基板支撑件中并且杆耦合至所述RF电极。所述杆由钛(Ti)或由涂覆有金(Au)、银(Ag)、铝(Al)或铜(Cu)的镍(Ni)制成。由Ti或涂覆有Au、Ag、Al或Cu的Ni制成的杆具有降低的电阻率和增加的趋肤深度，其最小化当RF电流行进通过所述杆时的热产生。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 强化 rf 功率 传输 陶瓷 加热器 | ||
【主权项】：
1.一种基板支撑组件，包含：基板支撑件；心轴，所述心轴连接至所述基板支撑件；以及第一杆，所述第一杆设置于所述心轴内，其中所述杆由钛或由涂覆有金、银、铝或铜的镍制成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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