[发明专利]半导体发光元件及其制造方法有效
| 申请号： | 201780016088.8 | 申请日： | 2017-03-08 |
| 公开（公告）号： | CN109075225B | 公开（公告）日： | 2021-08-17 |
| 发明（设计）人： | 小池豪;胜野弘;加贺広持;泽野正和;任郁雄;宫部主之 | 申请（专利权）人： | 阿尔发得株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/22 | 分类号： | H01L33/22 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 林斯凯 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 实施方式的半导体发光元件具有积层体。所述积层体具有第1导电型的第1半导体层、设置在所述第1半导体层之上的发光层及设置在所述发光层之上的第2导电型的第2半导体层。所述积层体在上表面具有朝从所述第1半导体层朝向所述发光层的第1方向突出的第1突出部。所述第1突出部在相对于所述第1方向垂直的第2方向上的长度朝向所述第1方向减少。所述第1突出部具有第1部分及第2部分。所述第1部分具有相对于所述第1方向倾斜的第1侧面。所述第2部分设置在所述第1部分之下，且具有相对于所述第1方向倾斜的第2侧面。所述第2侧面以朝向下方凸出的方式弯曲。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体发光元件，具备积层体，所述积层体具有第1导电型的第1半导体层、设置在所述第1半导体层之上的发光层及设置在所述发光层之上的第2导电型的第2半导体层，并且在所述积层体的上表面具有朝从所述第1半导体层朝向所述发光层的第1方向突出的第1突出部，所述第1突出部在相对于所述第1方向垂直的第2方向上的长度朝向所述第1方向减少，所述第1突出部具有：第1部分，具有相对于所述第1方向倾斜的第1侧面；以及第2部分，设置在所述第1部分之下，具有相对于所述第1方向倾斜的第2侧面，且所述第2侧面以朝向下方凸出的方式弯曲。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于阿尔发得株式会社，未经阿尔发得株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201780016088.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：半导体晶片
- 下一篇：III族氮化物层叠体及III族氮化物发光元件
