[发明专利]n型半导体元件和互补型半导体器件及其制造方法以及使用其的无线通信设备有效
| 申请号： | 201780007670.8 | 申请日： | 2017-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN108475642B | 公开（公告）日： | 2021-07-27 |
| 发明（设计）人： | 清水浩二;村濑清一郎;崎井大辅 | 申请（专利权）人： | 东丽株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/8238;H01L27/092;H01L29/786;H01L51/05;H01L51/30;H01L51/40 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 杨宏军;李国卿 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明以简便的工艺提供优异的互补型半导体元件。n型半导体元件，其为具备基材、和位于上述基材上的源电极、漏电极、栅电极、栅极绝缘层、半导体层的n型驱动半导体元件，在上述半导体层的与上述栅极绝缘层相反的一侧含有第2绝缘层，所述第2绝缘层含有包含碳原子与氮原子形成的键的有机化合物，上述半导体层含有在表面的至少一部分上附着有共轭系聚合物的碳纳米管复合体。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 互补 半导体器件 及其 制造 方法 以及 使用 无线通信 设备 | ||
【主权项】：
1.n型半导体元件，其具备：基材；源电极、漏电极及栅电极；与所述源电极及漏电极接触的半导体层；使所述半导体层与所述栅电极绝缘的栅极绝缘层；和在所述半导体层的与所述栅极绝缘层相反的一侧、与所述半导体层接触的第2绝缘层，其中，所述半导体层含有在表面的至少一部分上附着有共轭系聚合物的碳纳米管复合体，所述第2绝缘层含有包含碳原子与氮原子形成的键的有机化合物。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
