[发明专利]用于制造发射辐射的半导体芯片的方法和发射辐射的半导体芯片在审
| 申请号： | 201780005734.0 | 申请日： | 2017-02-22 |
| 公开（公告）号： | CN108475709A | 公开（公告）日： | 2018-08-31 |
| 发明（设计）人： | 维尔纳·贝格鲍尔;托马斯·伦哈特;于尔根·奥弗;利斯·拉乌尔卡德;菲利普·德雷克塞尔 | 申请（专利权）人： | 欧司朗光电半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/24 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 丁永凡;张春水 |
| 地址： | 德国雷*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 提出一种用于制造发射辐射的半导体芯片的方法，所述方法具有如下步骤：‑提供生长衬底(1)，‑将缓冲层(3)外延生长到生长衬底(1)上，其中在缓冲层(3)中产生多个V形坑(4)，‑将产生辐射的有源的半导体层序列(5)外延生长到缓冲层(3)上，其中V形坑(4)的结构延续到有源的半导体层序列(5)中，‑将另一层序列(9)外延地生长到有源的半导体层序列(5)上，其中V形坑(4)的结构延续到该另一层序列(9)中，‑从V形坑(4)的棱面(8)选择性地移除该另一层序列(9)，其中该另一层序列(9)在有源的半导体层序列(5)的主面(12)上保留，和‑外延地生长p型掺杂的半导体层(15)，所述半导体层完全地或部分地填充V形坑(4)。还提出一种半导体芯片，所述半导体芯片能够借助该方法制造。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体芯片 半导体层序列 发射辐射 缓冲层 生长 半导体层 外延生长 衬底 制造 棱面 移除 主面 填充 辐射 保留 | ||
【主权项】：
1.一种用于制造发射辐射的半导体芯片的方法，所述方法具有如下步骤：‑提供生长衬底(1)，‑将缓冲层(3)外延地生长到所述生长衬底(1)上，其中在所述缓冲层(3)中产生多个V形坑(4)，‑将产生辐射的有源的半导体层序列(5)外延地生长到所述缓冲层(3)上，其中所述V形坑(4)的结构延续到所述有源的半导体层序列(5)中，‑将另一层序列(9)外延地生长到所述有源的半导体层序列(5)上，其中所述V形坑(4)的结构延续到所述另一层序列(9)中，‑从所述V形坑(4)的棱面(8)选择性地移除所述另一层序列(9)，其中所述另一层序列(9)在所述有源的半导体层序列(5)的主面(12)上保留，和‑外延地生长p型掺杂的半导体层(15)，所述p型掺杂的半导体层完全地或部分地填充所述V形坑(4)。
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