[发明专利]二噻吩噻二唑半导体和相关器件

摘要

本发明涉及具有至少一个任选取代的二噻吩并[1,2,3]噻二唑部分的新型半导体化合物。本文公开的化合物可以表现出高的载子迁移率和/或高效的光吸收/发射特性，并且可以具有某些加工优点，如溶液可加工性和/或在环境条件下良好的稳定性。

主权项

1.一种包含一个或多个由式(I)表示的部分的半导体化合物：其中：W选自由S、Se和Te组成的组；以及每个R1独立地选自由H、卤素、–CN、NO2、R2、–L–R3、OH、OR2、OR3、NH2、NHR2、N(R2)2、NR2R3、N(R3)2、SH、SR2、SR3、S(O)2OH、–S(O)2OR2、–S(O)2OR3、C(O)H、C(O)R2、C(O)R3、C(O)OH、C(O)OR2、C(O)OR3、C(O)NH2、C(O)NHR2、C(O)N(R2)2、C(O)NR2R3、C(O)N(R3)2、SiH3、SiH(R2)2、SiH2(R2)和Si(R2)3组成的组，其中L选自由二价C1‑40烷基基团、二价C2‑40烯基基团、二价C1‑40卤代烷基基团和共价键组成的组；每个R2独立地选自由C1‑40烷基基团、C2‑40烯基基团、C2‑40炔基基团和C1‑40卤代烷基基团组成的组；并且每个R3独立地选自由C3‑10环烷基基团、C6‑14芳基基团、C6‑14卤代芳基基团、3‑12元环杂烷基基团和5‑14元杂芳基基团组成的组，其每个任选被1‑5个独立地选自由卤素、‑CN、NO2、R2、OR2和SR2组成的组的取代基取代。